A、B、C是中學(xué)化學(xué)中常見的無機(jī)物，且各由兩種元素組成；甲、乙、丙是三種常見的單質(zhì)；這些化合物和單質(zhì)間存在如圖所示轉(zhuǎn)化關(guān)系（這些轉(zhuǎn)化關(guān)系都不需要使用催化劑），回答下列問題：
（1）若甲在轉(zhuǎn)化中為還原劑，是常見金屬，乙是常見非金屬因態(tài)單質(zhì)，且甲、乙、丙都由短周期元素組成，則A的結(jié)構(gòu)式是______；B的電子式是______；A與甲反應(yīng)的化學(xué)方程式是______．
（2）若甲在轉(zhuǎn)化中為氧化劑，是常見的非金屬氣態(tài)單質(zhì)，丙是常見金屬，甲、乙、丙中只有甲由短周期元素組成，乙與甲同主族，與丙同周期，乙也有強(qiáng)氧化性，通常條件下都在溶液中進(jìn)行反應(yīng)，則：
①A與乙反應(yīng)的離子方程式為：______
②C與丙反應(yīng)的離子方程式為：______
③當(dāng)A與甲的物質(zhì)的量之比為2：3時，A與甲恰好完全反應(yīng)，且符合圖1所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系，則反應(yīng)的離子方程式為：______．

A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大；A元素的離子不含電子；B元素的最高價氧化物對應(yīng)水化物與其氫化物能反應(yīng)生成鹽F；D與A同主族，且與E同周期；E元素原子的最外層電子數(shù)是其次外層電子數(shù)的3/4，A、B、D、E這四種元素，每一種與C元素都能形成元素的原子個數(shù)比不相同的若干種化合物。請回答下列問題：

(1)C元素在元素周期表中的位置是　　　　　　　　　　

(2)C和E兩種元素相比較，非金屬性較強(qiáng)的是(填元素名稱)　　 ，可以驗(yàn)證該結(jié)論的是(填寫編號)　 　　　　 ；

a.比較這兩種元素的常見單質(zhì)的沸點(diǎn)

b.比較這兩種元素的單質(zhì)與氫氣化合的難易

c.比較這兩種元素的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性

(3)A、C、E間可形成甲、乙兩種微粒，它們均為負(fù)一價雙原子陰離子，且甲有18個電子，乙有10個電子，則甲與乙反應(yīng)的離子方程式為　　　　　　　　　　　　　　　 ；

(4)F含有的化學(xué)鍵類型是　 ，其水溶液呈酸性，請用相關(guān)的離子方程式解釋其原因　　　　

(5)D和C形成的一種化合物能與A和C形成的一種化合物反應(yīng)產(chǎn)生C單質(zhì)，該過程的化學(xué)方程式為　　　　　　　　　　　　

（13分）已知：A、B為常見的非金屬單質(zhì)且均為氣體；甲、乙為金屬單質(zhì)，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下(部分生成物未給出，且未注明反應(yīng)條件)：

⑴寫出反應(yīng)②的化學(xué)方程式                                             。

⑵反應(yīng)④中每消耗1 mol G，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為                   。

⑶反應(yīng)⑥的離子方程式是                                              。

⑷寫出工業(yè)冶煉金屬乙的化學(xué)方程式                                    。

⑸實(shí)驗(yàn)室中保存I的方法是                                            。

⑹SiCl₄與過量A在加熱條件下反應(yīng)可制得高純硅，整個制備純硅的過程中必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiCl₄在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是     ；H₂還原SiCl₄過程中若混入O₂，可能引起的后果是               。

（13分）已知：A、B為常見的非金屬單質(zhì)且均為氣體；甲、乙為金屬單質(zhì)，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下(部分生成物未給出，且未注明反應(yīng)條件)：

⑴寫出反應(yīng)②的化學(xué)方程式                                              。

⑵反應(yīng)④中每消耗1 mol G，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為                    。

⑶反應(yīng)⑥的離子方程式是                                               。

⑷寫出工業(yè)冶煉金屬乙的化學(xué)方程式                                     。

⑸實(shí)驗(yàn)室中保存I的方法是                                             。

⑹SiCl₄與過量A在加熱條件下反應(yīng)可制得高純硅，整個制備純硅的過程中必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiCl₄在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是      ；H₂還原SiCl₄過程中若混入O₂，可能引起的后果是                。