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				8．四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法.有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為: SiCl4 + 2H2高溫4HCl + Si  下列說(shuō)法不合理的是                     (  )  A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料  B．增大壓強(qiáng)有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率  C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過(guò)化合反應(yīng)制得  D．混入少量空氣對(duì)上述反應(yīng)無(wú)影響			【查看更多】
			

		
           
          

		
          
				
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          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4+2H2
           高溫 
          .
           
          4HCl+Si下列說(shuō)法不合理的是（　　）
          

			
          
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          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4（g）+2H2（g）
           高溫 
          .
           
          Si（s）+4HCl（g）．下列說(shuō)法合理的是（　�。�
          
                
          A、光導(dǎo)纖維的主要成分是硅單質(zhì)
          B、減小壓強(qiáng)有利于加快化學(xué)反應(yīng)速率
          C、高溫下，氫氣的還原性強(qiáng)于硅
          D、混入少量空氣對(duì)上述反應(yīng)無(wú)影響
          

			
          
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          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：
          SiCl4＋2H24HCl＋Si
          下列說(shuō)法不合理的是
          A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
          B．增大壓強(qiáng)有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過(guò)化合反應(yīng)制得
          D．混入少量空氣對(duì)上述反應(yīng)無(wú)影響
          

			
          
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          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：
          


          SiCl4＋2H24HCl＋Si
          


          下列說(shuō)法不合理的是
          


          A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
          


          B．增大壓強(qiáng)有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
          


          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過(guò)化合反應(yīng)制得
          


          D．混入少量空氣對(duì)上述反應(yīng)無(wú)影響
          


           
          

			
          
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          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4+2H2
           高溫 
          .
           
          4HCl+Si下列說(shuō)法不合理的是（　�。�
          A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
          B．增大壓強(qiáng)有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過(guò)化合反應(yīng)制得
          D．混入少量空氣對(duì)上述反應(yīng)無(wú)影響
          

			
          
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