日韩亚洲一区中文字幕,日韩欧美三级中文字幕在线,国产伦精品一区二区三区,免费在线欧美性爱链接

      1. <sub id="o5kww"></sub>
        
<legend id="o5kww"></legend>
        <style id="o5kww"><abbr id="o5kww"></abbr></style>
        <strong id="o5kww"><u id="o5kww"></u></strong>
        

        2. 


          
	
          
		
	
          
	
          
		
          
			
		
          
		
          
	
          

          



          

          

          


          


          
	
          
			
          

			
          
				
          四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4+2H2
           高溫 
          .
           
          4HCl+Si下列說法不合理的是（　�。�
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          分析：A．硅位于金屬與非金屬元素的交界處；
          B．該反應中有氣體參加反應，改變壓強，反應速率改變；
          C．硅與氯氣能發(fā)生氧化還原反應；
          D．硅能與氧氣反應．
          解答：解：A．硅位于金屬與非金屬元素的交界處，硅具有金屬性和非金屬性，則反應制得的硅可用于制造半導體材料，故A正確；
          B．該反應中有氣體參加反應，則增大壓強，化學反應速率增大，故B正確；
          C．硅與氯氣能發(fā)生氧化還原反應，則四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得，故C正確；
          D．硅能與氧氣反應生成二氧化硅，所以混入少量空氣對上述反應有影響，故D錯誤；
          故選D．
          點評：本題考查硅的提純及硅的性質，明確硅在周期表的位置及硅與氯氣、氧氣等發(fā)生的化學反應即可解答，題目難度不大．
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關習題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4（g）+2H2（g）
           高溫 
          .
           
          Si（s）+4HCl（g）．下列說法合理的是（　　）
          
                
          A、光導纖維的主要成分是硅單質
          B、減小壓強有利于加快化學反應速率
          C、高溫下，氫氣的還原性強于硅
          D、混入少量空氣對上述反應無影響
          

			
          

			
          
			查看答案和解析>>		
          
				
		
          
			
          
				科目：高中化學
				來源：2012-2013學年黑龍江省牡丹江一中高二上學期期末化學試卷（帶解析）
				題型：單選題
			
          

						
          四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：
          SiCl4＋2H24HCl＋Si
          下列說法不合理的是
          A．反應制得的硅可用于制造半導體材料
          B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
          D．混入少量空氣對上述反應無影響
          

			
          

			
          
			查看答案和解析>>		
          
				
		
          
			
          
				科目：高中化學
				來源：2014屆黑龍江省高二上學期期末化學試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：
          


          SiCl4＋2H24HCl＋Si
          


          下列說法不合理的是
          


          A．反應制得的硅可用于制造半導體材料
          


          B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
          


          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
          


          D．混入少量空氣對上述反應無影響
          


           
          

			
          

			
          
			查看答案和解析>>		
          
				
		
          
			
          
				科目：高中化學
				來源：2012-2013學年黑龍江省牡丹江一中高二（上）期末化學試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4+2H24HCl+Si下列說法不合理的是（ ）
          A．反應制得的硅可用于制造半導體材料
          B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
          D．混入少量空氣對上述反應無影響
          

			
          

			
          
			查看答案和解析>>		
          
			
          
	
          
		
          


          同步練習冊答案