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          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：
          


          SiCl4＋2H24HCl＋Si
          


          下列說法不合理的是
          


          A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
          


          B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
          


          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
          


          D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響
          


           
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				【答案】






          D
          


          【解析】
          


          試題分析：所給的反應(yīng)是工業(yè)上提煉高純度硅的關(guān)鍵反應(yīng)，A說法合理；增大壓強對于有氣體參加的反應(yīng)能加快反應(yīng)速率，B說法合理；C說法正確；混入空氣后硅和氧氣反應(yīng)使所得產(chǎn)物含有二氧化硅而不純，D說法錯誤。
          


          考點：考查高純度硅的制備及其相關(guān)問題
          


          點評：熟悉工業(yè)上制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)原理和技術(shù)問題
          


           
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4+2H2
           高溫 
          .
           
          4HCl+Si下列說法不合理的是（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4（g）+2H2（g）
           高溫 
          .
           
          Si（s）+4HCl（g）．下列說法合理的是（　�。�
          
                
          A、光導(dǎo)纖維的主要成分是硅單質(zhì)
          B、減小壓強有利于加快化學(xué)反應(yīng)速率
          C、高溫下，氫氣的還原性強于硅
          D、混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2012-2013學(xué)年黑龍江省牡丹江一中高二上學(xué)期期末化學(xué)試卷（帶解析）
				題型：單選題
			
          

						
          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：
          SiCl4＋2H24HCl＋Si
          下列說法不合理的是
          A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
          B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
          D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2012-2013學(xué)年黑龍江省牡丹江一中高二（上）期末化學(xué)試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4+2H24HCl+Si下列說法不合理的是（ ）
          A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
          B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
          C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
          D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響
          

			
          

			
          
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          同步練習(xí)冊答案