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        1. 加熱方法好, NH4HCO3可全部分解.無殘留物.而加入強(qiáng)堿只除去.且消耗試劑, 將濕潤的紅色石蕊試紙放在試管口.不變藍(lán)色.則分解完全 (2) 用BaCl2溶液好, 避免溶液中引入, 取少量上層清液.滴入BaCl2溶液.如不產(chǎn)生渾濁.表示已完全除去 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          實(shí)驗(yàn)室里需要純凈的氯化鈉溶液,但現(xiàn)有的氯化鈉晶體中混有少量硫酸鈉和碳酸氫銨,設(shè)計一組實(shí)驗(yàn)去雜質(zhì)。試簡單回答下列問題。
          (1)除去碳酸氫銨,用加熱方法好,還是加入強(qiáng)堿微熱的方法好?
          答:______________,原因是____________________,判斷碳酸氫銨已完全除去的方法是__________________________。
          (2)加熱的固體殘渣溶于水后,應(yīng)該用氯化鋇溶液還是硝酸鋇溶液除去SO42-?
          答:_____________,原因是______________,判斷SO42-已完全除去的方法是_________。

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          實(shí)驗(yàn)室里需要純凈的氯化鈉溶液,但現(xiàn)有的氯化鈉晶體中混有少量硫酸鈉和碳酸氫銨,設(shè)計一組實(shí)驗(yàn)去雜質(zhì)。試簡單回答下列問題。

          (1)除去碳酸氫銨,用加熱方法好,還是加入強(qiáng)堿微熱的方法好?

          答:______________,原因是____________________,判斷碳酸氫銨已完全除去的方法是__________________________。

          (2)加熱的固體殘渣溶于水后,應(yīng)該用氯化鋇溶液還是硝酸鋇溶液除去SO42-?

          答:_____________,原因是______________,判斷SO42-已完全除去的方法是_________。

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          (2013?鹽城一模)碳酸鎂晶須是一種新型吸波隱形材料中的增強(qiáng)材料.

          (1)合成碳酸鎂晶須的步驟如下:
          步驟1.配制0.5mol?L-1MgSO4溶液和0.5mol?L-1NH4HCO3溶液.
          步驟2.量取500mL NH4HCO3溶液于1 000mL四口燒瓶中,開啟攪拌器.溫度控制在50℃.
          步驟3.將250mL MgSO4溶液逐滴加入NH4HCO3溶液中,用氨水調(diào)節(jié)溶液pH到9.5.
          步驟4.放置1h后,過濾,洗滌干凈.
          步驟5.在40℃的真空干燥箱中干燥10h,得碳酸鎂晶須產(chǎn)品(MgCO3?nH2O n=1~5).
          ①步驟2控制溫度在50℃,較好的加熱方法是
          水浴加熱
          水浴加熱

          ②步驟3生成MgCO3?nH2O沉淀的離子方程式為
          Mg2++HCO3-+NH3?H2O+(n-1)H2O═MgCO3?nH2O+NH4+
          Mg2++HCO3-+NH3?H2O+(n-1)H2O═MgCO3?nH2O+NH4+

          ⑧步驟4檢驗(yàn)沉淀已經(jīng)洗滌干凈的方法是
          取最后一次洗滌的濾出液,滴入鹽酸酸化的BaCl2溶液,若無沉淀說明已洗滌干凈
          取最后一次洗滌的濾出液,滴入鹽酸酸化的BaCl2溶液,若無沉淀說明已洗滌干凈

          (2)測定合成的MgCO3?nH2O中的n值.
          稱量1.000g碳酸鎂晶須,放入圖所示的廣口瓶中,加入水,滴入稀硫酸與晶須反應(yīng),生成的CO2被NaOH溶液吸收,在室溫下反應(yīng)4~5h,反應(yīng)后期將溫度升到30℃,最后,燒杯中的溶液用已知濃度的鹽酸滴定,測得CO2的總量;重復(fù)上述操作2次.
          ①圖中氣球的作用是
          緩沖壓強(qiáng)并封閉體系
          緩沖壓強(qiáng)并封閉體系

          ②上述反應(yīng)后期要升溫到30℃,主要目的是
          使廣口瓶內(nèi)水中溶解的CO2充分逸出,并被NaOH充分吸收
          使廣口瓶內(nèi)水中溶解的CO2充分逸出,并被NaOH充分吸收

          ③設(shè)3次實(shí)驗(yàn)測得每1.000g碳酸鎂晶須產(chǎn)生的CO2平均值為a mol,則n值為
          (1-84a)
          18a
          (1-84a)
          18a
          (用含a的代數(shù)式表示).
          (3)稱取100g上述晶須產(chǎn)品進(jìn)行熱重分析,熱重曲線如圖2,則該條件下合成的晶須中,n=
          1
          1
          (填“1”“2”“3”“4”或“5”).

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          要設(shè)計一套實(shí)驗(yàn)室利用液體和液體加熱反應(yīng)制備氣體的裝置,現(xiàn)設(shè)計了五步操作,正確的程序是(  )

          ①將蒸餾燒瓶固定在鐵架臺上 ②將酒精燈放在鐵架臺上,根據(jù)酒精燈確定鐵圈高度,固定鐵圈,放好石棉網(wǎng)

          ③用漏斗向蒸餾燒瓶中加入一種液體反應(yīng)物,再向分液漏斗中加入另一種液體反應(yīng)物,并將導(dǎo)氣管放入氣體收集器中

          ④檢查裝置的氣密性(利用對固定裝置微熱的方法檢查氣密性)、菰谡麴s燒瓶上裝好分液漏斗,連接好導(dǎo)氣管

          A.②①⑤④③                           B.④①②⑤③

          C.①②⑤④③                           D.①⑤④②③

           

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          (18分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:

           ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl    SiHCl3+H2

          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。

          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。

          請回答下列問題:

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                 。

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:            。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

          ①裝置B中的試劑是        ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:         。

          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是       ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是     ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為               

          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及    。

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是          

          a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液     d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

           

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          同步練習(xí)冊答案