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        1. 20.通常人們把拆開1mol 某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱.也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H).化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差. 化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C 鍵能/ KJ·mol-1 460 360 436 431 176 347 請回答下列問題: (1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低Y(填>或<=SiC Si, SiCl4 SiO2 (2)右圖立方體中心的“● 表示硅晶體中的一個原子. 請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“● 表示出與之緊鄰的硅原子. (3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取: SiCl4 (g) + 2H2 該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H = KJ/mol 21.根據(jù)反應(yīng)框圖填空.已知反應(yīng)①-⑤均為工業(yè)生產(chǎn)及應(yīng)用中常見反應(yīng).其中B.G.I.J.L均為常見單質(zhì).B.D.J.L為氣體.A是工業(yè)生產(chǎn)F的重要礦石原料的主要成份.其相對分子質(zhì)量為120. (1)寫出A.B的化學(xué)式 A B (2)寫出下列化學(xué)反應(yīng)方程式或離子方程式: 反應(yīng)③的化學(xué)方程式 反應(yīng)⑤的離子方程式 (3)寫出反應(yīng)①所使用設(shè)備的名稱 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          通常人們把拆開1mol 某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可用于估算化學(xué)反應(yīng)的焓變(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差.
          化  學(xué)  鍵 H-H Cl-Cl H-Cl
          生成1mol化學(xué)鍵時放出的能量(kJ?mol-1 436 243 431
          則下列熱化學(xué)方程式不正確的是(  )

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          通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差.
          化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
          鍵能/
          kJ?mol-1
          460 360 436 431 176 347
          請回答下列問題:
          (1)已知Si、SiC、SiO2熔化時必須斷裂所含化學(xué)鍵,比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”):SiC
          Si,Si
          SiO2
          (2)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取:
          SiCl4(g)+2H2(g)
           高溫 
          .
           
          Si(s)+4HCl(g),
          則2mol H2生成高純硅需
          吸收
          吸收
          (填“吸收”或“放出”)能量
          236
          236
          kJ.

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          通常人們把拆開1mol 某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H).
          化學(xué)鍵 Cl-Cl H-H H-Cl N≡N
          鍵能/kJ?mol 243 436 431 946
          (1)按要求完成填空
          a  2HCl(g)=H2(g)+Cl2(g);△H=
          +183kJ/mol
          +183kJ/mol

          b  N2(g)+3H2(g)=2NH3(g)△H=-92kJ/mol,則N-H鍵的鍵能是
          391
          391
          kJ?mol
          (2)1mol NO2和1mol CO反應(yīng)生成CO2和NO過程中能量變化示意圖,請寫出NO2和CO反應(yīng)的熱化學(xué)方程式
          NO2(g)+CO(g)=CO2(g)+NO(g)
          NO2(g)+CO(g)=CO2(g)+NO(g)

          △H=-234kJ?mol-1
          △H=-234kJ?mol-1

          (3)已知在常溫常壓下:
          ①2CH3OH(l)+3O2(g)=2CO2(g)+4H2O(g)△H1
          ②2CO (g)+O2(g)=2CO2(g)△H2
          ③H2O(g)=H2O(l)△H3
          則CH3OH(l)+O2(g)=CO(g)+2H2O(l)△H=
          1
          2
          △H1-
          1
          2
          △H2+2△H3
          1
          2
          △H1-
          1
          2
          △H2+2△H3
          (用含△H1、△H2、△H3的式子表示)
          (4)已知:2Al (s)+
          3
          2
          O2(g)═Al2O3(s)△H=-1 644.3kJ?mol-1
          2Fe (s)+
          3
          2
          O2(g)═Fe2O3(s)△H=-815.88kJ?mol-1
          試寫出鋁粉與氧化鐵粉末發(fā)生鋁熱反應(yīng)的熱化學(xué)方程式
          2Al(s)+Fe2O3(s)═Al2O3(s)+2Fe(s)△H=-828.42kJmol-1
          2Al(s)+Fe2O3(s)═Al2O3(s)+2Fe(s)△H=-828.42kJmol-1

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          精英家教網(wǎng)通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可以估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差.
          化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
          鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347
          請回答下列問題:
          (1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)SiC
           
          Si;SiCl4
           
          SiO2
          (2)如圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子.
          (3)工業(yè)上用高純硅可通過下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+2H2(g)
           高溫 
          .
           
          Si(s)+4HCl(g)該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=
           
          kJ/mol.

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          21.通常人們把拆開1mol 某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

          化學(xué)鍵

          Si—O

          Si—Cl

          H—H

          H—Cl

          Si—Si

          Si—C

          鍵能/ kJ·mol—1

          460

          360

          436

          431

          176

          347

          請回答下列問題:

          ⑴ 比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填>或<)

             SiC______ Si;  SiCl4 ______ SiO2

          ⑵ 圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,

          請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

          ⑶ 工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制。

          SiCl4 (g) + 2H2(g)  Si(s) + 4HCl(g)    

          該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H = ___________ KJ/mol

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