Question

通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能．鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．

化學(xué)鍵	Si-O	Si-Cl	H-H	H-Cl	Si-Si	Si-C
鍵能/ kJ?mol-1	460	360	436	431	176	347

請(qǐng)回答下列問題：
（1）已知Si、SiC、SiO₂熔化時(shí)必須斷裂所含化學(xué)鍵，比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“＞”或“＜”）：SiC

＞

Si，Si

＜

SiO₂
（2）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：
SiCl₄（g）+2H₂（g）

高溫  .

Si（s）+4HCl（g），
則2mol H₂生成高純硅需

吸收

（填“吸收”或“放出”）能量

236

kJ．

Answer 1

分析：（1）物質(zhì)熔化過程中需要破壞化學(xué)鍵吸收能量，鍵能越大熔點(diǎn)越高，原子半徑大小分析判斷鍵能大��；
（2）依據(jù)化學(xué)反應(yīng)的焓變等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和-反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和計(jì)算．

解答：解：（1）物質(zhì)熔化時(shí)需斷鍵，斷鍵需吸收能量，而鍵能越大的物質(zhì)，斷鍵所吸收能量越大，熔點(diǎn)越高，依據(jù)圖表中的鍵能數(shù)值分析可知，鍵能Si-O＞Si-C＞Si-Si，所以物質(zhì)的熔點(diǎn)高低為：SiC＞Si，Si＜SiO₂，
故答案為：＞；＜；
（2）2mol H₂反應(yīng)，需1mol SiCl₄，則斷裂4mol Si-Cl鍵和2mol H-H鍵，同時(shí)生成1mol Si和4mol HCl，則形成2mol Si-Si鍵和4mol H-Cl鍵．所以吸收能量為360kJ/mol×4mol+436kJ/mol×2mol=2312kJ，而放出能量為176kJ/mol×2mol+431kJ/mol×4mol=2076kJ，則整個(gè)過程能量變化為2312kJ-2076kJ=+236kJ，
故答案為：吸收；236．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了化學(xué)反應(yīng)能量變化分析，原子晶體中鍵能和物質(zhì)熔點(diǎn)的關(guān)系分析判斷是解題關(guān)鍵，題目難度中等．