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        1. (必做題)
          質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m、帶電量為q的某種正離子,離子飄入電場(chǎng)時(shí)的速度很小,可以看作是靜止的,離子經(jīng)過電壓U加速后,經(jīng)過S1垂直于磁場(chǎng)方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而到達(dá)記錄它的照相底片P上.則
          (1)離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速率v=
          2qU
          m
          2qU
          m
          ;
          (2)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r=
          1
          B
          2mU
          q
          1
          B
          2mU
          q
          分析:(1)離子在加速電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),電場(chǎng)力做正功qU,根據(jù)動(dòng)能定理求出速度v.
          (2)離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻速圓周運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律,結(jié)合洛倫茲力提供向心力,即可求解.
          解答:解:(1)離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場(chǎng)加速,根據(jù)動(dòng)能定理
                   qU=
          1
          2
          mv2  
          得v=
          2qU
          m
           ①
              (2)設(shè)離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻速圓周運(yùn)動(dòng)速率為v,半徑為r.
                  由洛倫茲力提供向心力得,qvB=
          mv2
          r

                  解得:r=
          1
          B
          2mU
          q


          故答案為:v=
          2qU
          m
          r=
          1
          B
          2mU
          q
          點(diǎn)評(píng):質(zhì)譜儀是電場(chǎng)和磁場(chǎng)知識(shí)在科技中的應(yīng)用.利用質(zhì)譜儀可以測(cè)定帶電粒子的質(zhì)量、比荷、分析同位素.
          練習(xí)冊(cè)系列答案
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          如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量相等、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場(chǎng)加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:
          (1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的動(dòng)能;
          (2)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)的動(dòng)量大。
          (3)離子的質(zhì)量.

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          (1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的速度v;
          (2)離子的荷質(zhì)比 (q/m)

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          (1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的速度v;

          (2)離子的比荷(q/m)

           

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