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        1. ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:   
           (1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是_____;
          (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為_______;
          (3)Se原子序數(shù)為____,其核外M層電子的排布式為____;
          (4)H2Se的酸性比H2S___(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____,
          SO32-離子的立體構(gòu)型為______;
          (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為
          1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋;
          ①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因:______;
          ②H2SeO4和H2SeO3酸性強的原因:____________;
          (6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為_________g·cm-3(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為_____pm(列式表示)。
          (1)sp3
          (2)O>S>Se
          (3)34;3s23p63d10
          (4)強;平面三角形;三角錐形
          (5)①第一步電離后生成的負離子較難進一步電離出帶正電荷的氫離子
          ②H2SeO4和H2SeO3可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2。H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se-O-H中的O的電子更向Se偏移,越易電離出H+
          (6)
          練習冊系列答案
          相關(guān)習題

          科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

          ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請回答下列問題:

          (1)S單質(zhì)的常見形式是S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
          sp3
          sp3
          ;
          (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為
          O>S>Se
          O>S>Se

          (3)Se的原子序數(shù)為
          34
          34
          ,其核外M層電子的排布式為
          3s23p63d10
          3s23p63d10
          ;
          (4)H2Se的酸性比 H2S
          (填“強”或“弱”).氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
          平面三角形
          平面三角形
          ,
          SO
          2-
          3
          離子的立體構(gòu)型為
          三角錐形
          三角錐形
          ;
          (5)H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4的第一步幾乎完全電離,K2是1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
          ①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因:
          第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
          第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子

          ②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:
          H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
          H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

          (6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛.立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,其晶胞邊長為540.0pm,密度為
          4×(65+32)g?mol-1
          6.02×1023mol-1
          (540.0×10-10cm)3
          =4.1
          4×(65+32)g?mol-1
          6.02×1023mol-1
          (540.0×10-10cm)3
          =4.1
          g?cm-3(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
          270.0
          1-cos109°28′
          135.0×
          2
          sin
          109°28′
          2
          135
          3
          270.0
          1-cos109°28′
          135.0×
          2
          sin
          109°28′
          2
          135
          3
          pm(列式表示)

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          科目:高中化學 來源:2013屆江蘇省揚州中學高三12月質(zhì)量檢測化學試卷(帶解析) 題型:填空題

          (12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         。
          (2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         
          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ;
          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點:-41.1℃,H2S的沸點:-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         
          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;
          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學式為         

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          科目:高中化學 來源:2012-2013學年四川省樂山市高三“一調(diào)”考試理綜化學試卷(解析版) 題型:填空題

          ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         

          (2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列          。

          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      

          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                          ;H2Se的沸點:-41.1℃ ,H2S的沸點:-60.4℃,引起兩者沸點差異的主要原因是          ;

          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構(gòu)型為                  ;

          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,

          則該氧化物的化學式為         

           

           

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          科目:高中化學 來源:2012-2013學年江蘇省高三12月質(zhì)量檢測化學試卷(解析版) 題型:填空題

          (12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         

          (2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         。

          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ;

          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點:-41.1℃,H2S的沸點:-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         ;

          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;

          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學式為         

           

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物   ▲   。

          (2)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為        ▲   ; O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為  ▲  ;

          (3)SO32-離子中硫原子的雜化方式  ,該離子的立體構(gòu)型為    ▲      ;

          (4)某金屬元素(以A表示)的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學式為   ▲ 

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