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        1. (12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。
          (2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         。
          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ;
          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ;
          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 
          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為         

          21.(12分)
          (1)CS2或N2O      (2)SiO2>Na2O>P2O5     (3) O>S>Se  
          (4) [Ar]3d104s24p4   H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S   
          (5) sp3;三角錐形   (6) AO                          (每小題2分)

          解析試題分析:1、CO2含有22個(gè)電子,與其等電子的化合物有CS2或N2O
          2、Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物分別為離子晶體、原子晶體、分子晶體,所以其熔沸點(diǎn)應(yīng)是SiO2>Na2O>P2O5
          3、O、S、Se原子半徑逐漸增大,所以原子核對(duì)核外電子的吸引力逐漸減小,第一電離能由大到小的順序?yàn)镺>S>Se 
          4、Se為34號(hào)原子,原子基態(tài)核外電子的排布式為[Ar]3d104s24p4,由于H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S,所以才出現(xiàn)這種情況。
          5、SO32-離子中硫原子的雜化方式sp3;該離子的立體構(gòu)型為三角錐形
          6圖中白色小球有4個(gè),灰色小球也有4個(gè),所以該氧化物的化學(xué)式為AO
          考點(diǎn):化合物熔沸點(diǎn)的比較、原子核外電子的排布,晶胞的結(jié)構(gòu)分析
          點(diǎn)評(píng):本題所考查的知識(shí)點(diǎn)較多,但本題所考查的知識(shí)皆為基礎(chǔ)性知識(shí),所以難度不大,關(guān)鍵點(diǎn)在于晶胞結(jié)構(gòu)的分析,原子核外電子排布式的書寫,平時(shí)應(yīng)多積累和加強(qiáng)這方面的訓(xùn)練。

          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

          ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

          (1)S單質(zhì)的常見(jiàn)形式是S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
          sp3
          sp3
          ;
          (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
          O>S>Se
          O>S>Se
          ;
          (3)Se的原子序數(shù)為
          34
          34
          ,其核外M層電子的排布式為
          3s23p63d10
          3s23p63d10
          ;
          (4)H2Se的酸性比 H2S
          強(qiáng)
          強(qiáng)
          (填“強(qiáng)”或“弱”).氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
          平面三角形
          平面三角形
          SO
          2-
          3
          離子的立體構(gòu)型為
          三角錐形
          三角錐形
          ;
          (5)H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4的第一步幾乎完全電離,K2是1.2×10-2,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
          ①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因:
          第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
          第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子

          ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:
          H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
          H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

          (6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛.立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm,密度為
          4×(65+32)g?mol-1
          6.02×1023mol-1
          (540.0×10-10cm)3
          =4.1
          4×(65+32)g?mol-1
          6.02×1023mol-1
          (540.0×10-10cm)3
          =4.1
          g?cm-3(列式并計(jì)算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
          270.0
          1-cos109°28′
          135.0×
          2
          sin
          109°28′
          2
          135
          3
          270.0
          1-cos109°28′
          135.0×
          2
          sin
          109°28′
          2
          135
          3
          pm(列式表示)

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年四川省樂(lè)山市高三“一調(diào)”考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

          ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物          。

          (2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列          。

          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>       ;

          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                          ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃ ,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃,引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是          ;

          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構(gòu)型為                  ;

          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,

          則該氧化物的化學(xué)式為          。

           

           

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江蘇省高三12月質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

          (12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。

          (2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         

          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ;

          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ;

          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;

          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為         。

           

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

          A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物   ▲   。

          (2)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為        ▲   ; O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>  ▲ 

          (3)SO32-離子中硫原子的雜化方式  ,該離子的立體構(gòu)型為    ▲     

          (4)某金屬元素(以A表示)的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為   ▲  。

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