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（2013?濰坊模擬）工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．下圖1是離子交換膜法（允許鈉離子通過，不允許氫氧根與氯離子通過）電解飽和食鹽水，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是，NaOH溶液的出口為（填字母），精制飽和食鹽水的進(jìn)口為（填字母），干燥塔中應(yīng)使用的液體是．

（1）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注．SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄、H₂、O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為．SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiCl₃而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中反應(yīng)3SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）═4SiHCl₃（g）達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗NaCl的質(zhì)量為kg．
（2）如圖2，實(shí)驗(yàn)室制備H₂和Cl₂通常采用下列反應(yīng)：
Zn+H₂SO₄?ZnSO4+H2↑，MnO2+4HCl(濃)

△ .

.

MnCl2+Cl2↑+2H2O
據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H₂的裝置（填代號(hào)）和制備并收集干燥、純凈Cl₂的裝置（填代號(hào)）．
可選用制備氣體的裝置：
（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣．現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣m³（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．（忽略可能存在的其他反應(yīng)）

實(shí)驗(yàn)室可以用二氧化錳和濃鹽酸反應(yīng)制取氯氣，方程式如下：MnO2+4HCl(濃)

△ .

.

MnCl2+Cl2↑+2H2O，圖是某學(xué)生設(shè)計(jì)的試驗(yàn)室制備干燥Cl₂的試驗(yàn)裝置圖，根據(jù)圖中的裝置和有關(guān)試劑回答下列問題．
（1）該試驗(yàn)還缺少一種儀器，這種儀器是；
如果反應(yīng)正常進(jìn)行，回答下列問題：
（2）收集到的氯氣顏色為，密度比空氣；
（3）下列溶液的作用是：
①飽和食鹽水．
②濃硫酸．
③NaOH溶液．
（4）寫出Cl₂和NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式．