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（16分）某離子化合物X由一種有機(jī)陽(yáng)離子和一種無(wú)機(jī)陰離子組成；元素分析得到H：5.33%、C：21.17%、N：6.17%、S：35.33%、Ge：32.00%；該陽(yáng)離子和陰離子都具有正四面體型的空間對(duì)稱性。

1．確定X的組成式（陰陽(yáng)離子分開(kāi)寫(xiě)）；

2．畫(huà)出陰離子的空間構(gòu)型；

一定條件下X能與HgI₂反應(yīng)，通過(guò)自組裝合成了微孔硫化物Y；Y的陰離子是通過(guò)X的陰離子和HgS₄變形四面體共用S形成的無(wú)限網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

3．寫(xiě)出合成Y的反應(yīng)方程式；

4．2,3－二巰基丙醇在合成Y中是不可缺少的，其可能作用是什么？

5．Y的陰離子是通過(guò)1個(gè)X中的陰離子和幾個(gè)（2、3、4）Hg相連的，說(shuō)明理由；

衍射法測(cè)得該晶體Y屬于四方晶系，晶胞參數(shù)a＝0.9269nm，c＝1.4374nm，Z＝2。

6．計(jì)算晶體Y的密度。

對(duì)樣品進(jìn)行了DSC－TG研究，在320℃附近有一個(gè)強(qiáng)的吸熱峰，詳見(jiàn)右圖。

7．試確定殘留物中的主要成分是什么？

⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲    。在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲   。在四大晶體類型中，GaN屬于  ▲  晶體。

⑵_O%銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有    ▲   的原子或離子

⑶CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是   ▲  。

②SO₂分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲   。   

a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲  。

⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲    。在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲   。在四大晶體類型中，GaN屬于  ▲ 晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有   ▲   的原子或離子

⑶CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是   ▲  。

②SO₂分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有  ▲   。   

a．配位鍵     b．極性鍵    c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲  。

（10分）

由短周期元素組成的單質(zhì)A、B、C和甲、乙、丙、丁四種化合物有下圖所示的轉(zhuǎn)換關(guān)系，已知C為密度最小的氣體，甲是電解質(zhì)。

根據(jù)圖示轉(zhuǎn)化關(guān)系回答：

（1）寫(xiě)出下列物質(zhì)的化學(xué)式：B          、丙         、丁        。

（2）組成單質(zhì)A的元素在周期表中的位置是               。

（3）乙與過(guò)量CO₂反應(yīng)的離子方程式____________________________。

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為   ▲    。在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為  ▲   。在四大晶體類型中，GaN屬于 ▲  晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有    ▲   的原子或離子

⑶CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是  ▲  。

②SO₂分子的空間構(gòu)型為 ▲ 。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲   。

a．配位鍵    b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為   ▲  。