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        1. (12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為   ▲    。在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為  ▲   。在四大晶體類型中,GaN屬于 ▲  晶體。

          ⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有    ▲   的原子或離子

          ⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:

          ① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是  ▲  。

          ②SO2分子的空間構型為 ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學式為  ▲

          ③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是  ▲   。

          ④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有   ▲   。

          a.配位鍵    b.極性鍵     c.離子鍵    d.非極性鍵

          ⑤CuCl的晶胞結構如上圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為   ▲  。

           

          (12分)

          ⑴1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1)(1分)

          正四面體(1分)原子晶體(1分)

          ⑵能夠接受孤電子對的空軌道(1分)

          ⑶① O >N >H(1分)

          ②V形(1分)     SO42-、SiO44-等(1分)

          ③sp3雜化(1分)  乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵(1分)

          ④abd  (2分)         ⑤4(1分)

          解析:

           

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          [  ]

          A.

          B.

          C.

          D.

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          A.

          Z=x+16,A=2y+18

          B.

          Z=2y+16,A=+8

          C.

          Z=x+8,A=2y+36

          D.

          Z=x+16,A=2y+36

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          A.18O、31P、119Sn                               B.27Al、19F、12C

          C.元素周期表中第ⅤA族所有元素的原子       D.元素周期表中第1周期所有元素的原子

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          (2)第ⅢA、ⅤA原元素組馬的化合物CaN、CaP、CaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與單晶硅相似,Ca原子的電子排布式為            。在CaN晶體中,每個Ca原子與      個N原子相連,與同一個Ca原子相連的N原子構成的空間構型為           。在四大晶體類型中,CaN屬于         晶體。

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