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				多晶硅被稱為“微電子大廈的基石 .制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主.它對(duì)環(huán)境污染很大.能遇水強(qiáng)烈水解.放出大量的熱.研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉(主要成份為BaCO3.且含有鈣.鐵.鎂等離子)制備BaCl2·2H2O.工藝流程如下.已知常溫下Fe3+.Mg2+完全沉淀的pH分別是:3.4.12.4. (1)SiCl4水解控制在40℃以下的原因是   .  已知:SiCl4(s)+H2(g)=SiHCl3 ΔH1=47 kJ/mol  SiHCl3(s)+H2 ΔH2=189 kJ/mol  則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式為   .  (2)加鋇礦粉時(shí)生成BaCl2的離子反應(yīng)方程式是   .  (3)加20% NaOH調(diào)節(jié)pH=12.5.得到濾渣A的主要成分是  .控制溫度70℃的目的是  .  (4)BaCl2濾液經(jīng)蒸發(fā)濃縮.降溫結(jié)晶.過(guò)濾.再經(jīng)真空干燥后得到·2H2O.實(shí)驗(yàn)室中蒸發(fā)濃縮用到的含硅酸鹽的儀器有  種.  (5)為體現(xiàn)該工藝的綠色化學(xué)思想.該工藝中能循環(huán)利用的物質(zhì)是  .			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
          題目列表(包括答案和解析)
          

		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          多晶硅(硅單質(zhì)的一種)被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它對(duì)環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉(主要成分為BaCO3，且含有鈣、鐵、鎂等離子)制備BaCl2·2H2O，工藝流程如圖所示。已知常溫下Fe3＋、Mg2＋完全沉淀的pH分別是3.4、12.4。

          (1)SiCl4水解控制在40 ℃的原因是___________________________________。
          已知：SiCl4(s)＋H2(g)=SiHCl3(s)＋HCl(g) ΔH1＝＋47 kJ·mol－1
          Si(s)＋3HCl(g)=SiHCl3(s)＋H2(g) ΔH2＝－189 kJ·mol－1
          則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式為_(kāi)_________________________________。
          (2)加鋇礦粉時(shí)生成BaCl2的離子反應(yīng)方程式是_________________________。
          (3)加20% NaOH溶液調(diào)節(jié)pH＝12.5，得到濾渣A的主要成分是________，控制溫度70 ℃的目的是____________________________________________。
          (4)BaCl2濾液經(jīng)蒸發(fā)濃縮、降溫結(jié)晶、過(guò)濾，再經(jīng)真空干燥后得到BaCl2·2H2O。實(shí)驗(yàn)室中蒸發(fā)濃縮，用到的含硅酸鹽的儀器有__________種。
          (5)為體現(xiàn)該工藝的綠色化學(xué)思想，該工藝中能循環(huán)利用的物質(zhì)是____________。
          

			
          
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          多晶硅(硅單質(zhì)的一種)被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它對(duì)環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉(主要成份為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子)制備BaCl2·2H2O，工藝流程如下．已知：①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4．
          

          ②M(BaCO3)＝197 g/mol，M(BaCl2·2H2O)＝244 g/mol
           

           

          (1)SiCl4水解反應(yīng)的方程式為_(kāi)_______．
           

          已知：SiCl4(s)＋H2(g)SiHCl3(s)＋HCl(g)　ΔH1＝＋47 kJ/mol
           

          SiHCl3(s)＋H2(g)Si(s)＋3HCl(g)　ΔH2＝＋189 kJ/mol
           

          則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式為_(kāi)_______．
           

          (2)加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH＝7的作用是使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2和________．
           

          (3)加20％　NaOH調(diào)節(jié)pH＝12.5，得到濾渣A的主要成分是________．
           

          (4)BaCl2濾液經(jīng)________、________、過(guò)濾、洗滌，再經(jīng)真空干燥后得到BaCl2·2H2O．
           

          (5)10噸含78.8％　BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2·2H2O________噸．
           

          

          

			
          
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          多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它對(duì)環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl2?2H2O，工藝流程如下．已知：①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4．
          ②M （BaCO3）=197g/mol，M（BaCl2?2H2O）=244g/mol

          （1）SiCl4水解反應(yīng)的方程式為
          SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl．
          SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl．
          ，SiCl4水解控制在40℃的原因是
          防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應(yīng)過(guò)于劇烈
          防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應(yīng)過(guò)于劇烈
          ．
          （2）已知：SiCl4（s）+H2（g）=SiHCl3（s）+HCl（g）△H1=+47kJ/mol
          SiHCl3（s）+H2（g）=Si（s）+3HCl（g）△H2=+189kJ/mol則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式為
          SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
          SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
          ．
          （3）加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH=7的作用是使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2和
          使Fe3+完全沉淀
          使Fe3+完全沉淀
          ．
          （4）加20% NaOH調(diào)節(jié)pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是
          Mg（OH）2
          Mg（OH）2
          ．
          （5）BaCl2濾液經(jīng)
          蒸發(fā)濃縮
          蒸發(fā)濃縮
          、冷卻結(jié)晶、
          過(guò)濾
          過(guò)濾
          、洗滌，再經(jīng)真空干燥后得到BaCl2?2H2O．
          

			
          
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          （12分）多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成分為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子），制備BaCl2．2H2O，工藝流程如下：

          已知： 
          ①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的PH分別是3.4、12.4
          ②BaCO3的相對(duì)分子質(zhì)量是197；BaCl2．2H2O的相對(duì)分子質(zhì)量是244
          回答下列問(wèn)題： 
          ⑴SiCl4發(fā)生水解反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________________________
          ⑵SiCl4用H2還原可制取純度很高的硅，當(dāng)反應(yīng)中有1mol電子轉(zhuǎn)移時(shí)吸收59KJ熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為_(kāi)____________________________________________
          ⑶加鋇礦粉調(diào)節(jié)PH=7的作用是①使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2 ②_______________________
          ⑷生成濾渣A的離子方程式__________________________________________
          ⑸BaCl2濾液經(jīng)______、________、過(guò)濾、_________，再經(jīng)真空干燥后得到BaCl2．2H2O
          ⑹10噸含78.8% BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2．2H2O___________噸。
          

			
          
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          多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成分為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl2·2H2O，工藝流程如下：
          


          


          已知： 
          


          ①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是3.4、12.4
          


          ②BaCO3的相對(duì)分子質(zhì)量是197；BaCl2·2H2O的相對(duì)分子質(zhì)量是244
          


          回答下列問(wèn)題： 
          


          （1）SiCl4發(fā)生水解反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)______________________________________
          


          （2）用H2還原SiCl4蒸汽可制取純度很高的硅，當(dāng)反應(yīng)中有1mol電子轉(zhuǎn)移時(shí)吸收59KJ熱量，則該反   應(yīng)的熱化學(xué)方程式為_(kāi)____________________________________________
          


          （3）加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH=7的目的是①                ，②               

          


          （4）過(guò)濾②后的濾液中Fe3+濃度為          
（濾液溫度25℃，Ksp[Fe(OH)3]=2.2×10-38）
          


          （5）生成濾渣A的離子方程式__________________________________________
          


          （6）列式計(jì)算出10噸含78.8% BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2·2H2O的質(zhì)量為多少噸？
          


           
          

			
          
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