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        1. ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式 ,www. Ks5 u.c om②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3.HCl和另一種物質(zhì).寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式 .H2還原SiHCl3過(guò)程中若混O2.可能引起的后果是 , (2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是 :A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.可用于生產(chǎn)耐高溫水泥B.氮化硅硬度大.熔點(diǎn)高.可用于制作高溫陶瓷和軸承C.普通玻璃是由純堿.石灰石和石英砂制成的.其熔點(diǎn)很高D.鹽酸可以與硅反應(yīng).故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅E.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料――光導(dǎo)纖維 (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中.逐滴加入飽和氯化銨溶液.振蕩.寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象 . 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          (2008?廣東)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
          (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

          ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式
          SiHCl3+H2
           1357K 
          .
           
          Si+3HCl
          SiHCl3+H2
           1357K 
          .
           
          Si+3HCl

          ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式
          3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
          3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
          ;H2還原SiHCl3過(guò)程中若混O2,可能引起的后果是
          高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸
          高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸

          (2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是
          ABCD
          ABCD
          (填字母).
          A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水混
          B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
          C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的,其熔點(diǎn)很高
          D.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
          (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩.寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋
          生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng),SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3
          生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng),SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3

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          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
          (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。
          三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

          ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式                                 。
          ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式                                             ;
          H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2,可能引起的后果是                                 
                                                                                      
          (2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是        (填字母)。

          A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
          B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
          C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
          D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
          E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
          高溫

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          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

              (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

              ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式       

              ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式           ;H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2,可能引起的后果是                                

              (2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是         (填字母)。

                A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

                B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

                C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

                D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高

                E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

          (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋          。

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          (10分)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

          (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

          ①寫出由純制備高純硅的化學(xué)方程式:                         。

          ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為?                   ;還原過(guò)程中若混入可能引起的后果是?                 。

          (2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是?       (填字母)。

          A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

          B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

          C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

          D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高

          E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

          (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋                         。

           

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          (10分)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
          (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

          ①寫出由純制備高純硅的化學(xué)方程式:                         。
          ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為?                   ;還原過(guò)程中若混入可能引起的后果是?                 
          (2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是?       (填字母)。

          A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
          B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
          C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
          D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
          E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
          (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋                         。

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          1C 2A 3C 4A 5C 6D 7B 8C 9B 10D 11C 12A 13A 14B 15D

          16.(1)水   濃硫酸 ;(2)檢查氣密性,將G彎管浸沒(méi)在盛有水的燒杯中,溫?zé)釤緽,觀察G管口,若有氣泡逸出,說(shuō)明裝置的氣密性良好;

          (3)先從A瓶逐滴滴加液體, 檢驗(yàn)H2的純度;(4) ,   。

          17.(1) 2Fe3+H2S = S↓+2Fe2+2H, Na2S+2H2OS↓+H2↑+2NaOH

          或S2+2H2OS↓+H2↑+2OH,產(chǎn)物NaOH可循環(huán)使用,也可得副產(chǎn)品H2;

          (2)陽(yáng)離子(Na),鈦(或石墨);

          (3)4, 正四面體。 

          18.(1)Al(OH)3+OH--=AlO2+2H2O ;  (2);

          (3)SO2+Cl2+2H2O=H2SO4+2HCl ;  (4)HCl>H2S;

          (5)S2->Cl­­­ ->Na>Al3;(6)Cl2O7(l)+H2O(l)=2HClO4(aq);△H=-4QkJ/mol。

          19. (1) ①SiHCl3+H2= Si+3HClwww. Ks5 u.com

            ②3SiHCl3+3H2O===H2SiO3+H2↑+3HCl;高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸。(2)ABCE

          (3)生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成。

          20. (1)NaCl;   (2)Cu+2H2SO4CuSO4+ SO2↑+2H2O,高溫、催化劑;  (3)CH3CH2OH。

          21. ⑴b ; ⑵加熱褪色后的溶液,若溶液恢復(fù)紅色,則原通入氣體為SO2,若溶液不變紅,則原通入氣體是O3 ; ⑶2Fe+3Cl22FeCl3  Fe+SFeS(其他合理答案均給分);

          ⑷①H-C≡N ;  16w1:(44w2-aw1)。

           

           

           

           

           


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