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          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題：
          (1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅。
          三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

          ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應(yīng)方程式                                 。
          ②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學反應(yīng)方程式                                             ；
          H2還原SiHCl3過程中若混入O2，可能引起的后果是                                 
                                                                                      。 
          (2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是        (填字母)。
          A．碳化硅化學性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
          B．氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
          C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導纖維
          D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點很高
           E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
          高溫
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          （1） SiHCl3+H2======Si+3HCl（2分）  SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+3HCl+H2↑(2分)
          H2與O2反應(yīng)爆炸 ，生成的水與SiHCl3反應(yīng)， 生成的Si與O2反應(yīng)生成SiO2(2分)  
          （2）ABCD(4分)
          

          解析
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．
          （1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅．
          Ⅰ．高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；
          Ⅱ．粗硅與干燥的氯氣在450～500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4；
          Ⅲ．SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1 100～1 200℃條件下反應(yīng)制得高純硅．
          已知SiCl4沸點為57.6℃，能與H2O強烈反應(yīng)．1mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2kJ．
          請回答下列問題：
          ①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學方程式為
          2H2（g）+SiCl4（g）
           1100-1200℃ 
          .
           
          Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
          2H2（g）+SiCl4（g）
           1100-1200℃ 
          .
           
          Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
          ．
          ②整個制備純硅的過程中必須嚴格控制在無水無氧的條件下．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是
          H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
          H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
          ；H2還原SiCl4過程中若混入O2，可能引起的后果是
          爆炸
          爆炸
          ．
          （2）二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃．工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應(yīng)時放出CO2 44kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示，則其中x=
          4
          4
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2008?廣東）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．請回答下列問題：
          （1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

          ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應(yīng)方程式
          SiHCl3+H2
           1357K 
          .
           
          Si+3HCl
          SiHCl3+H2
           1357K 
          .
           
          Si+3HCl
          ．
          ②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學反應(yīng)方程式
          3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
          3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
          ；H2還原SiHCl3過程中若混O2，可能引起的后果是
          高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸
          高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸
          ．
          （2）下列有關(guān)硅材料的說法正確的是
          ABCD
          ABCD
          （填字母）．
          A．碳化硅化學性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水混
          B．氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
          C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的，其熔點很高
          D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
          （3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩．寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋
          生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓
          生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．三氯硅烷（SiHCl3）還原法是目前工業(yè)制高純度硅的主要方法，生產(chǎn)過程如下圖：
          精英家教網(wǎng)
          根據(jù)題意完成下列備題：
          （1）硅在元素周期表的位置
           
          ，其最外層有
           
          種能量不同的電子．
          （2）硅的氣態(tài)氫化物為SiH4，其空間構(gòu)型為
           
          ；三氯硅烷中某些元素最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性
           
          ＞
           
          （填化學式）．
          （3）寫出三氯硅烷與氫氣反應(yīng)的化學反應(yīng)方程式：
           
          ．
          （4）自然界中硅酸鹽種類多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，通常用二氧化硅和金屬氧化物的形式來表示其組成．如正長石（KALSi3O8），氧化物形式為：
           
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題：
          （1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：
          ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應(yīng)方程式____________________________。
          ②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學反應(yīng)方程式_________________；H2還原SiHCl3過程中若混入O2，可能引起的后果是_________________________。
          （2）下列有關(guān)硅材料的說法正確的是__________________（填字母）。
          A.碳化硅化學性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
          B.氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
          C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導纖維
          D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點很高
          E.鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
          （3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：2011屆福建省廈門外國語學校高三11月月考化學試卷
				題型：填空題
			
          

						
          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。
          （1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：
          Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
          Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl4
          Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1100 ℃～1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅
          已知SiCl4沸點為57.6 ℃，能與H2O強烈反應(yīng)。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請回答下列問題：
          ① 第Ⅰ步制備粗硅的化學反應(yīng)方程式為                                       ，第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學方程式是                                                   。
          ②整個制備純硅過程必須嚴格控制無水無氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是          ；H2還原SiCl4過程中若混O2，可能引起的后果是        。
          （2）二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時放出CO2 44 kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示，則其中x＝         。
          

			
          

			
          
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