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				15．如圖所示.質(zhì)量為m.邊長為L的正方形線框從某一高度自由落下后.通過一高度也為L的勻強磁場區(qū)域.則線框通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱  A．可能大于2mgL  B．可能等于2mgL  C．可能小于2mgL  D．可能為零			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
          題目列表(包括答案和解析)
          

		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          如圖所示，質(zhì)量為m，邊長為L的正方形線框從某一高度自由落下后，通過一高度也為L的勻強磁場區(qū)域．則線框通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱（　�。�
          

			
          
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          如圖所示，質(zhì)量為m，邊長為L的正方形線框，在有界勻強磁場上方h高處由靜止自由下落，線框的總電阻為R，磁感應強度為B的勻強磁場寬度為2L．線框下落過程中，ab邊始終與磁場邊界平行且處于水平方向．已知ab邊剛穿出磁場時線框恰好做勻速運動．求：
          （1）cd邊剛進入磁場時線框的速度；?
          （2）線框穿過磁場的過程中，產(chǎn)生的焦耳熱．
          

			
          
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          如圖所示，質(zhì)量為m，邊長為L的正方形線框abcd，從垂直紙面向里的水平有界勻強磁場的上方h高度處由靜止自由下落，磁場高度為H，線框下落過程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場邊界都沿水平方向
            
          （1）請證明線框進入磁場的過程中任意時刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率；
            
          （2）若m=0.40kg，L=0.45m，h=0.80 m，H＝1.45m，且cd邊進入磁場時線框剛好做勻速運動，求cd邊剛穿出磁場時線框的加速度大�。唬�g取10m/s2）。
            
          （3）在（2）中，若線框剛進入磁場時對其施加一豎直方向外力F，使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運動，請在下圖中作出線框abcd進入磁場的過程中外力F隨時間t變化的圖像。
            
          

			
          
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          如圖所示，質(zhì)量為m，邊長為L的正方形線框從某一高度自由落下后，通過一高度也為L的勻強磁場區(qū)域．則線框通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱（　�。�
          A．可能大于2mgLB．可能等于2mgL
          C．可能小于2mgLD．可能為零
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          如圖所示，質(zhì)量為m，邊長為L的正方形線框abcd，從垂直紙面向里的水平有界勻強磁場的上方h高度處由靜止自由下落，磁場高度為H，線框下落過程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場邊界都沿水平方向
          （1）請證明線框進入磁場的過程中任意時刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率；
          （2）若m=0.40kg，L=0.45m，h=0.80 m，H＝1.45m，且cd邊進入磁場時線框剛好做勻速運動，求cd邊剛穿出磁場時線框的加速度大�。唬�g取10m/s2）。
          （3）在（2）中，若線框剛進入磁場時對其施加一豎直方向外力F，使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運動，請在下圖中作出線框abcd進入磁場的過程中外力F隨時間t變化的圖像。
           
          

			
          
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