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        1. 如圖所示為一質(zhì)譜儀的示意圖,由加速電場、靜電分析器和磁分析器組成.若靜電分析器的通道的半徑為R,均勻輻向分布,離子運(yùn)動(dòng)軌道處電場強(qiáng)度為E,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.試計(jì)算:

          (1)為使電荷量為q、質(zhì)量為m的離子從靜止開始經(jīng)加速電場加速后沿圖示的虛線通過靜電分析器,加速電場的電壓U為多大?

          (2)離子由O點(diǎn)進(jìn)入磁分析器后,最終打在乳膠片上的位置A,距入射點(diǎn)O多遠(yuǎn)?

          (3)若有一群帶電粒子,從靜止起經(jīng)加速電場加速,又經(jīng)過靜電分析器和磁分析器后落點(diǎn)在同一點(diǎn)A,問該群帶電粒子有什么共性?

          答案:見詳解
          解析:

          (1)離子在加速電場中加速時(shí),有:

          qUmv02 、

          在靜電分析器中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),離子所受的電場力提供向心力,

          即  qE  ②

          聯(lián)立①②兩式可得

          U

          (2)離子進(jìn)入磁場中在磁分析器中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力

          qv0Bm  ③

          r 、

          則  sOA2r 、

          (3)由⑤式的關(guān)系可知,若一群帶電粒子從靜止開始加速,又經(jīng)靜電分析器和磁分析器后落在同一點(diǎn)A,即SOA相同.則有:.只要該群帶電粒子的比荷相同即可.


          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來源: 題型:

          如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量相等、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測得P到S3的距離為x.求:
          (1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的動(dòng)能;
          (2)離子在磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí)的動(dòng)量大。
          (3)離子的質(zhì)量.

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測得P到S3的距離為x.求:
          (1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;
          (2)離子的荷質(zhì)比 (q/m)

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測得P到S3的距離為x.求:

          (1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

          (2)離子的比荷(q/m)

           

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          科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年廣西省高二3月月考物理卷(解析版) 題型:計(jì)算題

          如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測得P到S3的距離為x.求:

          (1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

          (2)離子的比荷(q/m)

           

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          科目:高中物理 來源:浙江省高二上學(xué)期期末考試物理卷 題型:計(jì)算題

          如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測得P到S3的距離為x.求:

          (1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

          (2)離子的比荷(q/m)

           

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