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          如圖所示，初速度為零，所帶電量為q的離子經(jīng)過電壓為U的電場加速后進(jìn)入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中，沿半圓周運動而達(dá)到記錄它的照相底片P上，測得它在P上的位置到入口處的距離為d，求該離子的質(zhì)量．
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          分析：根據(jù)動能定理，結(jié)合帶電粒子在勻強(qiáng)磁場中運動的半徑公式，求出離子質(zhì)量的表達(dá)式．
          解答：解：離子在電場中做加速運動得
          Uq=
          1
          2
          mv2 （1）
          在磁場中運動有
          Bvq=
          mv2
          d
          2
          （2）
          由（1）（2）得：m=
          qB2
          8U
          d2．
          答：該離子的質(zhì)量m=
          qB2
          8U
          d2．
          點評：本題綜合考查了動能定理和牛頓第二定律，通過洛倫茲力提供向心力求出質(zhì)量的表達(dá)式，以及掌握電量與電流的關(guān)系．
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
           如圖所示，初速度為零的電子經(jīng)電壓 U1 加速后，垂直進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場，離開電場時偏移量為 y，偏轉(zhuǎn)板間的距離為 d，偏轉(zhuǎn)電壓為 U2，板長為 L，為了提高偏轉(zhuǎn)靈敏度（每單位偏轉(zhuǎn)電壓引起的偏移量）可采取的措施有（　　）
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          精英家教網(wǎng)如圖所示，初速度為零的電子（電荷量為e、質(zhì)量為m），經(jīng)電壓為U1的加速電場加速后從金屬板的小孔穿出，沿兩水平偏轉(zhuǎn)板的中心線進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場．設(shè)偏轉(zhuǎn)極板長為l，偏轉(zhuǎn)極板間距為d，在距偏轉(zhuǎn)極板右側(cè)0.5l處有一豎直放置的擋板，擋板高為d，擋板中央與偏轉(zhuǎn)板的中心線重合，在擋板右側(cè)0.5l處有一豎直放置的足夠大的熒光屏，O點為偏轉(zhuǎn)板的中心線與熒光屏的交點，則：
          （1）電子經(jīng)電壓U1加速后的速度v0為多大？
          （2）偏轉(zhuǎn)電壓U2為多大時，電子恰從偏轉(zhuǎn)極板邊緣飛出打在熒光屏上？
          （3）若改變偏轉(zhuǎn)電壓，當(dāng)偏轉(zhuǎn)電壓為某一值時，電子恰從擋板邊緣飛過打在熒光屏上，此時偏轉(zhuǎn)電壓U2′多大？打在熒光屏上的A點距O點的距離Y為多少？
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：2012年粵教版高中物理選修3-1 3.6洛倫茲力與現(xiàn)代技術(shù)練習(xí)卷（解析版）
				題型：計算題
			
          

						
          如圖所示，初速度為零、所帶電荷量為q的離子經(jīng)過電壓為U的電場加速后進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中，沿半圓周運動而達(dá)到記錄它的照相底片P上，測得它在P上的位置到入口處的距離為d，求該離子的質(zhì)量.
          


          


           
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：2010-2011學(xué)年安徽省合肥市長豐一中高二（上）月考物理試卷（10月份）（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
           如圖所示，初速度為零的電子經(jīng)電壓 U1 加速后，垂直進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場，離開電場時偏移量為 y，偏轉(zhuǎn)板間的距離為 d，偏轉(zhuǎn)電壓為 U2，板長為 L，為了提高偏轉(zhuǎn)靈敏度（每單位偏轉(zhuǎn)電壓引起的偏移量）可采取的措施有（ ）

          A．增大偏轉(zhuǎn)電壓U2
          B．使U1變大些，U2變小些
          C．盡可能使L小些
          D．盡可能使d小些
          

			
          

			
          
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          同步練習(xí)冊答案