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        1. 第三周期元素X,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍.下列說法正確的是( 。
          分析:第三周期元素X,有3個電子層,次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差為8-2=6,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)小于6,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍,則X元素原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)為2或4,若為2,則X為硫元素,符合題意;若為4,則X為硅元素,符合題意.結(jié)合元素化合物性質(zhì)判斷.
          解答:解:第三周期元素X,有3個電子層,次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差為8-2=6,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)小于6,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍,則X元素原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)為2或4,若為2,則X為硫元素,符合題意;若為4,則X為硅元素,符合題意.
          A、Si元素最高價氧化物對應的水化物是硅酸,酸性比碳酸弱,屬于弱酸,故A錯誤;
          B、Si元素的氫化物的化學式為SiH4等,具有和烴類似的物質(zhì),故B錯誤;
          C、Si元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物為二氧化硅,二氧化硅能與燒堿反應生成硅酸鈉,三氧化硫、二氧化硫都能與燒堿反應,故C正確;
          D、硅單質(zhì)是良好的半導體材料,故D錯誤.
          故選:C.
          點評:以元素推斷為載體,考查原子結(jié)構位置與性質(zhì)關系、元素化合物知識,難度不大,推斷元素是解題的關鍵.
          練習冊系列答案
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          第三周期元素x,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍.下列說法正確的是( 。

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          科目:高中化學 來源: 題型:單選題

          第三周期元素x,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍。下列說法正確的是


          1. A.
            x元素最高價氧化物對應的水化物一定是強酸
          2. B.
            x的單質(zhì)在固態(tài)時一定屬于原子晶體
          3. C.
            x的單質(zhì)一定是良好的半導體材料
          4. D.
            x元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物一定能與燒堿反應

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          第三周期元素x,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍。下列說法正確的是(   )

              A.x元素最高價氧化物對應的水化物一定是強酸

              B.x的單質(zhì)在固態(tài)時一定屬于原子晶體

              C.x的單質(zhì)一定是良好的半導體材料

              D.x元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物一定能與燒堿反應

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          科目:高中化學 來源:2014屆安徽省銅陵市高一下學期期中考試化學試卷(解析版) 題型:選擇題

          第三周期元素X,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍。下列說法正確的是(     )

          A.X元素最高價氧化物對應的水化物一定是強酸  

          B.X元素的氫化物的化學式一定為H2X

          C.X元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物一定能與燒堿反應 

           D.X的單質(zhì)一定不是良好的半導體材料

           

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