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        1. 第三周期元素x,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍.下列說法正確的是(  )
          分析:第三周期元素X,有3個電子層,次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差為8-2=6,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于6,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍,則X元素原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)為2或4,若為2,則X為硫元素,若為4,則X為硅元素,符合題意,結(jié)合元素化合物性質(zhì)分析解答.
          解答:解:第三周期元素X,有3個電子層,次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差為8-2=6,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于6,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍,則X元素原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)為2或4,若為2,則X為硫元素,若為4,則X為硅元素,
          A.若X是Si元素,硅酸是弱酸,故A錯誤;
          B.如果X是S元素,硫單質(zhì)的構(gòu)成微粒是分子,所以屬于分子晶體,故B錯誤;
          C.如果X是S元素,硫單質(zhì)不能導電,故C錯誤;
          D.二氧化硅和二氧化硫都是酸性氧化物,能和氫氧化鈉反應生成鹽,故D正確;
          故選D.
          點評:本題考查了元素位置與結(jié)構(gòu)的關系,正確推斷元素是解本題關鍵,再結(jié)合元素化合物的性質(zhì)分析解答,注意硫單質(zhì)是分子晶體而不是原子晶體,很多同學認為其化學式為S,所以錯誤的認為是分子晶體,為易錯點.
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          第三周期元素X,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍.下列說法正確的是( 。

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          科目:高中化學 來源: 題型:單選題

          第三周期元素x,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍。下列說法正確的是


          1. A.
            x元素最高價氧化物對應的水化物一定是強酸
          2. B.
            x的單質(zhì)在固態(tài)時一定屬于原子晶體
          3. C.
            x的單質(zhì)一定是良好的半導體材料
          4. D.
            x元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物一定能與燒堿反應

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          第三周期元素x,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍。下列說法正確的是(   )

              A.x元素最高價氧化物對應的水化物一定是強酸

              B.x的單質(zhì)在固態(tài)時一定屬于原子晶體

              C.x的單質(zhì)一定是良好的半導體材料

              D.x元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物一定能與燒堿反應

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          科目:高中化學 來源:2014屆安徽省銅陵市高一下學期期中考試化學試卷(解析版) 題型:選擇題

          第三周期元素X,它的原子核外最外層實現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差,且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍。下列說法正確的是(     )

          A.X元素最高價氧化物對應的水化物一定是強酸  

          B.X元素的氫化物的化學式一定為H2X

          C.X元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物一定能與燒堿反應 

           D.X的單質(zhì)一定不是良好的半導體材料

           

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