Question

A、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，元素A原子最外層電子數(shù)比內(nèi)層多3個(gè)，元素B基態(tài)原子核外有2個(gè)未成對電子，元素C的最高價(jià)和最低價(jià)代數(shù)和等于0，元素D位于周期表ⅥB族。
⑴判斷離子AB₂^－離子的空間構(gòu)型為     。
⑵元素A、C形成的化合物熔點(diǎn)很高，但比B、C形成的化合物熔點(diǎn)低，其原因是     。
⑶在A的氫化物（A₂H₄）分子中，A原子軌道的雜化類型是     。
⑷元素B與D形成的一種化合物廣泛應(yīng)用于錄音磁帶上，其晶胞如圖所示。

該化合物的化學(xué)式為     。
⑸向D的氯化物DCl₃溶液中滴加氨水可形成配合物[D(NH₃)₃(H₂O)Cl₂]Cl。
①離子D³⁺的外圍電子排布式為     。
②1 mol該配合物中含配位鍵的數(shù)目為     。

Answer 1

⑴V形    ⑵兩種化合物均為原子晶體，Si—O鍵鍵能大于Si—N鍵
⑶sp³      ⑷CrO₂   ⑸①3d³    ②6N_A（每空2分，共12分）

解析試題分析：根據(jù)信息確定A為氮元素、B為氧元素、C為硅元素、D為鉻元素。
⑴NO₂^-中心原子形成2個(gè)σ鍵，孤對電子對數(shù)＝，故其空間構(gòu)型為V型或角型。
⑵N、O分別與Si形成的化合物均為原子晶體，由于Si—O鍵鍵能大于Si—N鍵，故O、Si形成的化合物熔點(diǎn)較高。
⑶在N₂H₄中，每個(gè)氮原子除了形成3個(gè)σ鍵外還有1個(gè)孤對電子，故N原子軌道的雜化類型為sp³。
⑷在該晶胞中含有Cr原子數(shù)：個(gè)，含有O原子數(shù)：個(gè)，則該化合物的化學(xué)式為CrO₂。
⑸①Cr的基態(tài)電子排布式為[Ar]3d⁵4s¹，則Cr³⁺的外圍電子排布式為3d³。
②該配合物分子中所含配位鍵數(shù)目為3+1+2＝6個(gè)，則1 mol該配合物中含配位鍵的數(shù)目為6N_A。
考點(diǎn)：考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（微粒的空間構(gòu)型、晶體熔沸點(diǎn)比較、中心原子的雜化類型、晶胞化學(xué)式的計(jì)算、外圍電子排布式的書寫、配位鍵等）。