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          下面的排序不正確的是
          A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4＜CCl4＜CBr4＜CI4B．硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅
          C．熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al　　　　D．晶格能由大到小:NaF> NaCl> NaBr>NaI
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          C
          

          解析試題分析：晶體熔沸點(diǎn)高低比較的一般規(guī)律是：原子晶體，熔沸點(diǎn)大小和共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)系；金屬晶體中，形成金屬鍵的金屬陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高；分子晶體中形成分子晶體的分子間作用力越大，熔沸點(diǎn)越高；離子晶體中形成離子鍵的離子半徑越小，電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。A中都是分子晶體，B中都是原子晶體，D中都是離子晶體，其熔點(diǎn)大小順序是正確的；C中是金屬晶體，熔點(diǎn)等閑視之應(yīng)該是Na＜Mg＜Al，答案選C。
          考點(diǎn)：考查晶體熔點(diǎn)高低的大小比較
          點(diǎn)評：該題是高考中的常見題型和考點(diǎn)，屬于中等難度的試題。試題基礎(chǔ)性強(qiáng)，側(cè)重對學(xué)生基礎(chǔ)知識的鞏固和訓(xùn)練，有利于培養(yǎng)學(xué)生的邏輯推理能力。該題的關(guān)鍵是明確晶體熔點(diǎn)大小比較的規(guī)律，然后結(jié)合題意靈活運(yùn)用即可。
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          下面的排序不正確的是（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          下面的排序不正確的是（　　）
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          下面的排序不正確的是（　�。�
          
                
          A、電負(fù)性的大�。篊l＞S＞Al＞MgB、硬度由大到小：金剛石＞碳化硅＞晶體硅C、熔點(diǎn)由高到低：石英＞食鹽＞干冰＞鈉D、晶格能由大到小：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          下面的排序不正確的是
               A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4
               B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅
               C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al 
               D．晶格能由大到小：NaF> NaCl> NaBr>NaI
          【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。
           
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          下面的排序不正確的是
          


               A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4
          


               B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅
          


               C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al 
          


               D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI
          


          【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。
          


           
          

			
          

			
          
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