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          下面的排序不正確的是（　　）
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          分析：A．結(jié)構(gòu)和組成相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，有氫鍵的熔點(diǎn)變大；
          B．影響金屬晶體金屬鍵強(qiáng)弱的因素為電荷和離子半徑；
          C．影響原子晶體硬度大小的因素是共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)；
          D．影響離子晶體晶格能大小的因素有電荷因素和半徑因素．
          解答：解：A．四種分子晶體的組成和結(jié)構(gòu)相似，分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，則晶體的熔沸點(diǎn)越高，但是HF中氫鍵熔點(diǎn)反常，比鹵素的其他氫化物熔點(diǎn)高，所以晶體熔點(diǎn)由低到高：HCl＜HBr＜HI＜HF，故A錯(cuò)誤；
          B．Na、Mg、Al原子半徑依次減小，金屬離子電荷逐漸增多，金屬鍵逐漸增強(qiáng)，則熔點(diǎn)由低到高：Na＜Mg＜Al，故B正確；
          C．原子半徑Si＞C，三者都為原子晶體，原子半徑越大，共價(jià)鍵的鍵能越小，則硬度越小，故C正確；
          D．先比較電荷數(shù)多的晶格能大，而如果電荷數(shù)一樣多比較核間距，核間距大的，晶格能小，故D正確．
          故選A．
          點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體的物理性質(zhì)，題目難度中等，注意把握比較角度，學(xué)習(xí)中注意方法的積累．
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          下面的排序不正確的是（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          下面的排序不正確的是（　　）
          
                
          A、電負(fù)性的大�。篊l＞S＞Al＞MgB、硬度由大到�。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C、熔點(diǎn)由高到低：石英＞食鹽＞干冰＞鈉D、晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          下面的排序不正確的是
               A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4
               B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅
               C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al 
               D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI
          【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽(yáng)離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。
           
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          下面的排序不正確的是
          


               A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4
          


               B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅
          


               C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al 
          


               D．晶格能由大到小：NaF> NaCl> NaBr>NaI
          


          【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽(yáng)離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。
          


           
          

			
          

			
          
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