Question

下列說法正確的是（ ）
A．4.0g碳化硅晶體中所含C-Si數(shù)為0.4N_A
B．PCl₃、BF₃、HClO這些分子中每個(gè)原子都達(dá)到了8電子結(jié)構(gòu)
C．電解精煉銅時(shí)，當(dāng)陽(yáng)極質(zhì)量減少3.2 g時(shí)，電路中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.1N_A
D．若H⁺（aq）+OH^-（aq）=H₂O（l）；△H=-57.3kJ?mol^-1，則含Ba（OH）₂ 1 mol溶液與1 mol稀H₂SO₄反應(yīng)放出的熱量為114.6 kJ

Answer 1

【答案】分析：A、碳化硅晶體結(jié)構(gòu)與金剛石類似，每個(gè)C原子掌握有4個(gè)Si原子，每個(gè)Si原子掌握有4個(gè)C原子，每個(gè)C原子呈4個(gè)C-Si鍵，根據(jù)n=計(jì)算碳化硅的物質(zhì)的量，再根據(jù)N=nN_A計(jì)算C-Si鍵數(shù)目；
B、BF₃中B原子、HClO中H原子不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；
C、電解精煉銅時(shí)，陽(yáng)極失電子的物質(zhì)除銅外，其它部分雜質(zhì)也發(fā)生氧化反應(yīng)；
D、Ba（OH）₂ 1 mol溶液與1 mol稀H₂SO₄反應(yīng)生成2mol水與1mol硫酸鋇沉淀，生成硫酸鋇沉淀也放出熱量．
解答：解：A、4.0g碳化硅晶體的物質(zhì)的量為=0.1mol，每個(gè)C原子掌握有4個(gè)Si原子，每個(gè)Si原子掌握有4個(gè)C原子，每個(gè)C原子呈4個(gè)C-Si鍵，所以含有的C-Si鍵數(shù)目為0.1mol×4×N_Amol^-1=0.4N_A，故A正確；
B、PCl₃中各原子滿足8電子結(jié)構(gòu)，BF₃中B原子、HClO中H原子不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故B錯(cuò)誤；
C、電解精煉銅時(shí)，陽(yáng)極失電子的物質(zhì)除銅外，其它部分雜質(zhì)也發(fā)生氧化反應(yīng)，當(dāng)陽(yáng)極質(zhì)量減少3.2 g時(shí)，電路中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)不一定為0.1N_A，故C錯(cuò)誤；
D、Ba（OH）₂ 1 mol溶液與1 mol稀H₂SO₄反應(yīng)生成2mol水與1mol硫酸鋇沉淀，生成硫酸鋇沉淀也放出熱量，所以放出的熱量應(yīng)大于114.6 kJ，故D錯(cuò)誤；
故選A．
點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體與分子結(jié)構(gòu)、電解原理、熱化學(xué)方程式等，難度中等，注意A中結(jié)構(gòu)與金剛石類似，但不是C-Si鍵為C原子提供個(gè)鍵．