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硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料。鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過(guò)程示意如下：          

（1）焦炭在過(guò)程Ⅰ中作______劑。

（2）過(guò)程Ⅱ中的Cl₂用電解飽和食鹽水制備，制備Cl₂的化學(xué)方程式是     。

（3）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水。

①SiCl₄遇水劇烈水解生成SiO₂和一種酸，反應(yīng)的化學(xué)方程式是      。

②干燥Cl₂時(shí)，從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入到濃H₂SO₄中。冷卻的作用是     。

（4）Zn還原SiCl₄的反應(yīng)如下：

反應(yīng)1：  400℃～756℃ ，SiCl₄(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl₂(l)   ΔH₁ <0 

反應(yīng)2：  756℃～907℃ ，SiCl₄(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl₂(g)  ΔH₂ <0 

反應(yīng)3：  907℃～1410℃，SiCl₄(g) + 2Zn(g)  Si(s) + 2ZnCl₂(g)  ΔH₃ <0 

① 對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng)，下列說(shuō)法合理的是_____。

a．升高溫度會(huì)提高SiCl₄的轉(zhuǎn)化率      b．還原過(guò)程需在無(wú)氧的氣氛中進(jìn)行

c．增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl₄

② 實(shí)際制備過(guò)程選擇“反應(yīng)3”，選擇的理由是     。

③ 已知Zn(l)=Zn(g)  ΔH = +116 KJ/mol 。若SiCl₄的轉(zhuǎn)化率均為90%，每投入1mol SiCl₄，“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出_____kJ的熱量。

（5）用硅制作太陽(yáng)能電池時(shí)，為減弱光在硅表面的反射，采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層。腐蝕劑常用稀HNO₃和HF的混合液。硅表面首先形成SiO₂，最后轉(zhuǎn)化為H₂SiF₆。用化學(xué)方程式表示SiO₂轉(zhuǎn)化為H₂SiF₆的過(guò)程      。

下列表述錯(cuò)誤的是

A．太陽(yáng)能電池可采用硅材料制作，其應(yīng)用有利于環(huán)保、節(jié)能

B．提前建成的三峽大壩使用了大量水泥，水泥是新型無(wú)機(jī)非金屬材料

C．用ClO₂取代Cl₂對(duì)飲用水消毒，效果更好

D．“雨后彩虹”“海市蜃樓”既是一種自然現(xiàn)象又是光學(xué)現(xiàn)象，也與膠體的知識(shí)有關(guān)

硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料。鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過(guò)程示意如下：          

（1）焦炭在過(guò)程Ⅰ中作______劑。
（2）過(guò)程Ⅱ中的Cl₂用電解飽和食鹽水制備，制備Cl₂的化學(xué)方程式是    。
（3）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水。
①SiCl₄遇水劇烈水解生成SiO₂和一種酸，反應(yīng)的化學(xué)方程式是     。
②干燥Cl₂時(shí)，從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入到濃H₂SO₄中。冷卻的作用是    。
（4）Zn還原SiCl₄的反應(yīng)如下：
反應(yīng)1： 400℃～756℃ ，SiCl₄(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl₂(l)   ΔH₁ <0 
反應(yīng)2：  756℃～907℃ ，SiCl₄(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl₂(g)  ΔH₂ <0 
反應(yīng)3：  907℃～1410℃，SiCl₄(g) + 2Zn(g)  Si(s) + 2ZnCl₂(g)  ΔH₃ <0 
① 對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng)，下列說(shuō)法合理的是_____。
a．升高溫度會(huì)提高SiCl₄的轉(zhuǎn)化率      b．還原過(guò)程需在無(wú)氧的氣氛中進(jìn)行
c．增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl₄
② 實(shí)際制備過(guò)程選擇“反應(yīng)3”，選擇的理由是    。
③ 已知Zn(l)=Zn(g)  ΔH =" +116" KJ/mol 。若SiCl₄的轉(zhuǎn)化率均為90%，每投入1mol SiCl₄，“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出_____kJ的熱量。
（5）用硅制作太陽(yáng)能電池時(shí)，為減弱光在硅表面的反射，采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層。腐蝕劑常用稀HNO₃和HF的混合液。硅表面首先形成SiO₂，最后轉(zhuǎn)化為H₂SiF₆。用化學(xué)方程式表示SiO₂轉(zhuǎn)化為H₂SiF₆的過(guò)程     。

下列說(shuō)法正確的是                                                       

A．太陽(yáng)能電池可采用二氧化硅材料制作，其應(yīng)用有利于環(huán)保節(jié)能

B．我國(guó)流通的硬幣材質(zhì)是金屬單質(zhì)w.w.w.k.s.5 u.c.o.m

C．在廣東沿海打撈上來(lái)的明代沉船上存在大量鋁制餐具

D．把氯化物等鹽類撒在雪中，能降低水的熔點(diǎn)，從而有利于除雪