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				過(guò)量還是少量       2.化合物還是單質(zhì)或混合物			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
          題目列表(包括答案和解析)
          

		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          [化學(xué)--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
          四種常見(jiàn)元素：A、B、C、D為周期表前四周期元素，原子序數(shù)依次遞增，它們的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表．試根據(jù)信息回答有關(guān)問(wèn)題．
          

          


          
元素
A
B
C
D
          

          
結(jié)構(gòu)性質(zhì)
          信息          		
基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子數(shù)相同
原子核外有兩個(gè)電子層，最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子
基態(tài)原子的M層有2對(duì)成對(duì)的p電子
其原子序數(shù)比A、B、C三種元素原子的質(zhì)子數(shù)總和還少1，有+1、+2兩種常見(jiàn)化合價(jià)
          （1）寫(xiě)出D原子的外圍電子排布式
          3d104s1
          3d104s1
          ，A、B、C、D四種元素的第一電離能最小的是
          Cu
          Cu
          （用元素符號(hào)表示）．
          （2）B元素的氫化物的沸點(diǎn)比同主族相鄰元素氫化物沸點(diǎn)
          高
          高
          （填“高”或“低”）．
          （3）元素F與A相鄰且同主族，它們與氧元素的成鍵情況如下：
          

          


          

A-O
A=O
F-O
F=O
          

          
鍵能（KJ/mol）
360
803
464
640
          在A和O之間通過(guò)雙鍵形成AO2分子，而F和O則不能和A那樣形成有限分子，原因是
          C=O的鍵能比C-O的鍵能的兩倍要大，Si=O的鍵能比Si-O的鍵能的兩倍要小，所以Si和O成單鍵更穩(wěn)定，而C和O以雙鍵形成穩(wěn)定分子
          C=O的鍵能比C-O的鍵能的兩倍要大，Si=O的鍵能比Si-O的鍵能的兩倍要小，所以Si和O成單鍵更穩(wěn)定，而C和O以雙鍵形成穩(wěn)定分子
          ．
          （4）往D元素的硫酸鹽溶液中逐滴加入過(guò)量B元素的氫化物水溶液，可生成的配合物，該配合物中不含有的化學(xué)鍵是
          ce
          ce
          （填序號(hào)）．a(chǎn)．離子鍵  b．極性鍵c．非極性鍵d．配位鍵    e．金屬鍵
          （5）下列分子結(jié)構(gòu)圖中的“”表示上述相關(guān)元素的原子中除去最外層電子的剩余部分，“”表示氫原子，小黑點(diǎn)“”表示沒(méi)有形成共價(jià)鍵的最外層電子，短線表示共價(jià)鍵．

          則在以上分子中，中心原子采用sp3雜化形成化學(xué)鍵的是
          ①③
          ①③
          （填序號(hào)）；在②的分子中有
          3
          3
          個(gè)σ鍵和
          2
          2
          個(gè)π鍵．
          （6）已知一種分子B4分子結(jié)構(gòu)如圖所示，斷裂1molB-B吸收aKJ的熱量，生成1molB≡B放出bKJ熱量．試計(jì)算反應(yīng)：B4（g）═2B2（g）△H=
          -（2b-6a）
          -（2b-6a）
          KJ/mol．
          

			
          
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          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
          （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：
          ①寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。
          ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是_________________________。
          （2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是__________________（填字母）。
          A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
          B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
          C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
          D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高
          E.鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
          （3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。
          

			
          
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          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
              
          (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅  的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：
              
                 
              
          ①      寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式
              
          ________________________________________________________________________
              
          ________________________________________________________________________。
              
          ②      整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式
              
          ________________________________________________________________________；
              
          H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是
              
          ________________________________________________________________________。
              
          (2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是________(填字母)。
              
          A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
              
          B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
              
          C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
              
          D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高
              
          E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
              
          (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，      振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋?zhuān)?/p>    
          ________________________________________________________________________
              
          ________________________________________________________________________
              
          ________________________________________________________________________。
              
          

			
          
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          （16分）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
          制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：
          （1）在制粗硅的反應(yīng)中，焦炭的作用是                                                  。
          （2）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。
          ①SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式　　　　；②H2還原SiHCl3過(guò)程中若混O2，可能引起的后果是                                    。
           (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋　　　                                                         　。
           
          

			
          
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          （16分）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
          


          制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：
          


          


          （1）在制粗硅的反應(yīng)中，焦炭的作用是                                                  
。
          


          （2）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。
          


          ①SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式　　　　；②H2還原SiHCl3過(guò)程中若混O2，可能引起的后果是 
                                   。
          


           (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋　　　                                                         
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