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（10分）Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體，以其為材料制造的燈泡壽命長(zhǎng)、耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）下列說(shuō)法正確的是__________（填序號(hào)）

A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同

B．第一電離能 As>Ga

C．電負(fù)性 As>Ga

D．原子半徑 As>Ga

（2）砷化鎵可由(CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應(yīng)制得，反應(yīng)的方程式為

_____________________________________________________________；

（3）AsH₃空間形狀為_(kāi)_______________；

已知（CH₃）₃Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為_(kāi)___________；

Ⅱ. 金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

（4）請(qǐng)解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因                                               ，

 Cu²⁺的核外電子排布式為_(kāi)_________________________。

（5）在硫酸銅溶液中通入過(guò)量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到的[Cu(NH₃)₄]SO₄晶體中含有的化學(xué)鍵除了普通共價(jià)鍵外，還有             和              。

(15分)

Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體，以其為材料制造的燈泡壽命長(zhǎng).耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

   （1）下列說(shuō)法正確的是__________（填序號(hào)）

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同        B.第一電離能 As>Ga

C.電負(fù)性 As>Ga                              D.原子半徑 As>Ga

   （2）砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應(yīng)制得，反應(yīng)的方程式為_(kāi)_________；

   （3）AsH₃空間形狀為_(kāi)__________；已知（CH₃）₃ Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為_(kāi)___________；

Ⅱ. 金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

   （4）請(qǐng)解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因                     ， Cu²⁺的核外電子排布式為_(kāi)_________________________。

   （5）在硫酸銅溶液中通入過(guò)量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍(lán)色的[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體,晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外，還有         和         。

(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體，以其為材料制造的燈泡壽命長(zhǎng).耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）下列說(shuō)法正確的是__________（填序號(hào)）