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        1. 元素周期表分區(qū) 幾個量的關(guān)系: (1)原子序數(shù)=核電荷數(shù)=質(zhì)子數(shù) =核外電子數(shù) (2)周期序數(shù)=核外電子層數(shù)=能級組數(shù).每周期元素數(shù)目=該能級組容納電子總數(shù). (3)族的序數(shù)=特征電子數(shù)之和 a.主族序數(shù)=最外層電子數(shù)=元素的最高正價數(shù)(F無正價.O一般也無正價) b. ⅢB到ⅦB和Ⅷ族的第一列:最高能級組中的電子總數(shù)=族數(shù) 如:鈧[Ar] 3d14s2 ⅠB和ⅡB:最外層電子數(shù)=族數(shù) 如: 銅 29Cu [Ar]3d104s1 鐵[Ar]3d64s2 (4) 非金屬元素|最高正價數(shù)|+|負(fù)價數(shù)|=8 實例:已知某元素在周期表中位于第五周期.ⅥA族位置上.試寫出該元素的基態(tài)原子的電子排布式.元素的名稱.符導(dǎo)和原子序數(shù). 解:元素位于第五周期.故電子的最高能級組是第五能級組,元素是ⅥA族的.故最外層電子數(shù)應(yīng)為6.故有5s25p4,ⅥA族屬于p區(qū).其4d一定是全充滿的.電子結(jié)構(gòu)式為[Kr]4d105s25p4.元素名稱是碲.符導(dǎo)Te.核外共有52個電子.原子序數(shù)是52. 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          請回答下列問題:

          (1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是______.
          (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量.Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序為______;O與F電負(fù)性大到小的順序為______.(用<或=或>表示)
          (3)34號元素的價層電子的電子排布圖為______,在周期表位于______區(qū);Mn2+基態(tài)的電子排布式為______.
          (4)氣態(tài)SO2分子的立體構(gòu)型為______;SO32-離子的立體構(gòu)型為______(均用文字描述)
          (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋;
          ①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因:______;
          ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;
          (6)向CuSO4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2-.不考慮空間構(gòu)型,[Cu(OH)4]2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為______.
          (7)Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,該氯化物的化學(xué)式是______.

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          請回答下列問題:

          (1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
          sp3
          sp3

          (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量.Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序為
          Al>Mg
          Al>Mg
          ;O與F電負(fù)性大到小的順序為
          F>O
          F>O
          .(用<或=或>表示)
          (3)34號元素的價層電子的電子排布圖為
          1s22s22p63s23p63d104s24p4
          1s22s22p63s23p63d104s24p4
          ,在周期表位于
          第四周期第ⅥA族
          第四周期第ⅥA族
          區(qū);Mn2+基態(tài)的電子排布式為
          1s22s22p63s23p63d5
          1s22s22p63s23p63d5

          (4)氣態(tài)SO2分子的立體構(gòu)型為
          V形
          V形
          ;SO32-離子的立體構(gòu)型為
          三角錐型
          三角錐型
          (均用文字描述)
          (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋;
          ①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因:
          酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷,吸引H+,同時產(chǎn)生的H+抑制第二步電離
          酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷,吸引H+,同時產(chǎn)生的H+抑制第二步電離

          ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:
          H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為(HO)2SeO2、(HO)2SeO,H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,后者Se原子吸電子能力強(qiáng),導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
          H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為(HO)2SeO2、(HO)2SeO,H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,后者Se原子吸電子能力強(qiáng),導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+

          (6)向CuSO4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2-.不考慮空間構(gòu)型,[Cu(OH)4]2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為

          (7)Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,該氯化物的化學(xué)式是
          CuCl
          CuCl

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