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清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式                                    ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應中氧化劑為                     。

（3）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

結論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應             。高溫無水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）在等離子體中反應。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應。下列關于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH₄能與水發(fā)生氧化還原反應生成H₂；

B．硅烷與氨氣反應的化學方程式為：3SiH₄+4NH₃＝Si₃N₄+12H₂↑，反應中NH₃作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應；

D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si₃N₄是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。
回答下列問題
（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋                          ；
（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式                                   ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應中氧化劑為                    。
（3）本校化學興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：