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        1. (2)根據(jù)圖像可知.當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣萭= 9.86 m/s2.(3)在 平衡位置 處 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          下表是用單擺測(cè)重力加速度實(shí)驗(yàn)中獲得的有關(guān)數(shù)據(jù).
          擺長l/m
          0.5
          0.6
          0.8
          1.1
          周期T2/s2
          2.0
          2.4
          3.2
          4.8


          (1)利用上面的數(shù)據(jù),在坐標(biāo)圖中作出l-T2圖像.
          (2)根據(jù)圖像可知,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣萭=              m/s2.若取T2=5.2s2時(shí),擺長l=             .

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          如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強(qiáng)磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域的v – t 圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是      (    )

              A.可以求出金屬框的邊長

              B.線框穿出磁場時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場時(shí)間(t2—t1)

              C.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程所受安培力方向相同

              D.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等

           

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          如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強(qiáng)磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直。現(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域的v – t 圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是       (   )
          A.可以求出金屬框的邊長
          B.線框穿出磁場時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場時(shí)間(t2—t1)
          C.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程所受安培力方向相同
          D.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等

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          如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強(qiáng)磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域的v – t圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是      (   )

              A.可以求出金屬框的邊長

              B.線框穿出磁場時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場時(shí)間(t2—t1)

              C.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程所受安培力方向相同

              D.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等

           

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          如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強(qiáng)磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直。現(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域的v – t 圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是       (   )

          A.可以求出金屬框的邊長
          B.線框穿出磁場時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場時(shí)間(t2—t1)
          C.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程所受安培力方向相同
          D.線框穿出磁場與進(jìn)入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等

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