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				(C)1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢高			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
          題目列表(包括答案和解析)
          

		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          在如圖所示的LC振蕩電路中通過P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖（b）所示，若把通過P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向，則（　　）
          

			
          
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          在右圖所示的LC振蕩電路中,通過P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則(     ) 
          


          


          A、0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電
          


          B、0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷
          


          C、1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢高
          


          D、1.5ms至2ms內(nèi)磁場能在減少，磁感應(yīng)強(qiáng)度增大
          


           
          

			
          
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          在如圖所示的LC振蕩電路中,通過P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則
          A．0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電
          B．0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷
          C．1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢高
          D．1.5ms至2ms內(nèi)磁場能在減少
          

			
          
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          在右圖所示的LC振蕩電路中,通過P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則(       ) 
              
          A、0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電
              
          B、0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷
              
          C、1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢高
              
          D、1.5ms至2ms內(nèi)磁場能在減少，磁感應(yīng)強(qiáng)度增大
                      
                                                                  
          

			
          
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          在右圖所示的LC振蕩電路中,通過P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則(     ) 
          A、0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電
          B、0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷
          C、1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢高
          D、1.5ms至2ms內(nèi)磁場能在減少，磁感應(yīng)強(qiáng)度增大
           
          

			
          
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