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				金屬晶體:簡(jiǎn)單立方.鉀型.鎂型和銅型			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
          題目列表(包括答案和解析)
          

		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          下列有關(guān)晶體的說法錯(cuò)誤的是（　　）
          
                
          A、氯化鈉晶體中，每個(gè)晶胞中平均含有4個(gè)鈉離子和4個(gè)氯離子B、在金剛石晶體中，1 mol碳原子形成2 mol碳碳共價(jià)鍵C、只有金屬Po的晶體采取簡(jiǎn)單立方堆積，其空間利用率最高D、在干冰晶體中，每一個(gè)二氧化碳分子周圍有12個(gè)二氧化碳分子緊密相鄰
          

			
          
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          下列有關(guān)晶體的說法中，正確的是（　�。�
          
                
          A、分子晶體中的分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定B、原子晶體中的共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越短、鍵能越大，晶體的熔點(diǎn)越高C、在面心立方堆積的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子周圍緊鄰有4個(gè)金屬原子D、在氯化鈉晶體中，鈉離子或氯離子的配位數(shù)都為8
          

			
          
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          有A、B、C、D、E、M、X七種元素．其相關(guān)信息如下：
          

          


          

相關(guān)信息
          

          
①
A的基態(tài)原子2p軌道中有三個(gè)未成對(duì)電子
          

          
②
A、B元素的常見單質(zhì)是構(gòu)成空氣的主要成分
          

          
③
C是電負(fù)性最大的元素
          

          
④
D是主族元素，基態(tài)原子有四個(gè)能層，且最外能層上只有兩個(gè)電子
          

          
⑤
D、E、M、X四種元素處于同一周期；
          M與E又位于同一族，M的原子序數(shù)比E多1，M的基態(tài)原子中含有三個(gè)未成對(duì)電子；
          X原子外圍電子排布式為3d104s1
          請(qǐng)下列問題：
          （1）A元素的電負(fù)性與B的電負(fù)性相比，電負(fù)性較大的是
          O
          O
          （填寫元素符號(hào)）．M的原子序數(shù)為
          27
          27
          ；X元素在周期表中的位置是
          第四周期第IB族
          第四周期第IB族
          ．
          （2）A與C組成AC3分子的VSEPR模型為
          四面體
          四面體
          ，AB3-離子的空間構(gòu)型為
          平面三角形
          平面三角形
          ．
          （3）畫出B元素原子的核外電子排布圖
          ；E3+離子的核外電子排布式為
          1s22s22p63s23p63d5
          1s22s22p63s23p63d5
          ．；
          （4）E、X晶體晶體的堆積模型依次為體心立方堆積、面心立方最緊密堆積，其配位數(shù)依次為
          8、12
          8、12
          ．
          （5）C與D可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示．若該晶胞的邊長(zhǎng)為500.0pm．若該晶體的密度為
          4.15
          4.15
          g/cm3（列式并計(jì)算）．
          

			
          
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          有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是（　�。�
          
                
          A、在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl-形成正八面體B、在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na+C、在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs+D、銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12
          

			
          
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          有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是(　　)
          


          A．在NaCl晶體中，距Na＋最近的Cl－形成正八面體
          


          B．在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na＋
          


          C．在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs＋
          


          D．銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12
          


           
          

			
          
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