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（2009?宿遷模擬）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外電子層的p能級(jí)（軌道）上的電子處于半滿狀態(tài)．通常情況下，A的一種氧化物分子為非極性分子，其晶胞結(jié)構(gòu)如右下圖所示．原子序數(shù)為31的元素鎵（Ga）與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導(dǎo)體材料和GaE為代表的第二代半導(dǎo)體材料之后，在近10年迅速發(fā)展起來(lái)的第三代新型半導(dǎo)體材料．
試回答下列問(wèn)題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為．
（2）A、B、C的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->．
（3）B元素的單質(zhì)分子中有個(gè)π鍵，與其互為等電子體的物質(zhì)的化學(xué)式可能為（任寫(xiě)一種）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取雜化，其晶胞中微粒間的作用力為．
（5）EH₃分子的空間構(gòu)型為，其沸點(diǎn)與BH₃相比（填“高”或“低”），原因是．
（6）向CuSO₄溶液中逐滴加入BH₃的水溶液，得到深藍(lán)色的透明溶液．請(qǐng)寫(xiě)出該反應(yīng)的離子方程式．

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E＜F．其中B、D、F原子最外電子層的P能級(jí)（軌道）上的電子處于半滿狀態(tài)．通常情況下，A的一種氧化物分子為非極性分子，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．E的電負(fù)性在該周期中最大．鎵（Ga）與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導(dǎo)體材料和GaF為代表的第二代半導(dǎo)體材料之后，在近10年迅速發(fā)展起來(lái)的第三代新型半導(dǎo)體材料．
試回答下列問(wèn)題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E、F用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為．
（2）A、B、C的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->．
（3）B元素的單質(zhì)分子中有個(gè)π鍵．
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取雜化，其晶胞中微粒間的作用力為．
（5）FH3沸點(diǎn)與比BH₃（填“高”或“低”），原因是．
（6）固體CrE₃?6H₂O溶于水可能有幾種不同組成的配離子，實(shí)驗(yàn)將含0.2665gCrE₃?6H₂O的溶液通過(guò)H-離子交換樹(shù)脂（只交換配陽(yáng)離子），交換出的酸用0.125mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和．已知配離子配位數(shù)為6，則該配離子是．

[化學(xué)選修3-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
已知A、B、C、D、E、F是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次增大．其中B、D、F原子最外電子層的P能級(jí)（軌道）上的電子處于半充滿狀態(tài)．通常情況下，A的某種氧化物分子為非極性分子，其晶胞中分子呈面心立方堆積．E的電負(fù)性在該周期中最大．C的單質(zhì)是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料．回答下列問(wèn)題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E、F均用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）
（1）寫(xiě)出基態(tài)F原子的核外電子排布式．
（2）A，B，C的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->．
（3）上述A的氧化物分子中心原子采取雜化，其晶胞中微粒間的作用力為．
（4）有下列三種物質(zhì)：①B的氫化物②A的最高價(jià)氧化物③A和C形成的化合物，它們的沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)?!--BA-->．
（5）固體CrE₃?6H₂O溶于水可能有幾種不同組成的配離子，將含0.2665g CrE₃?6H₂O  的溶液通過(guò)氫離子交換樹(shù)脂（只交換配陽(yáng)離子），交換出的氫離子恰好用0.1250mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和．已知配離子配位數(shù)為6，則該配離子是，配位原子是，該固體溶于水還可形成多種配陽(yáng)離子，寫(xiě)出其中的兩種．