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（1）有濃鹽酸、濃硫酸、白磷、二氧化錳、氫氧化鈉等物質(zhì)供選用，a、b中應(yīng)該裝入的試劑分別是：a________，b________。

（2）________（填儀器對(duì)應(yīng)的字母）儀器需要加熱。

（3）生成的三氯化磷在蒸餾燒瓶e中收集。為保證三氯化磷蒸氣冷凝，應(yīng)在水槽g中加入________。

（4）三氯化磷遇到水蒸氣強(qiáng)烈反應(yīng)，甚至發(fā)生爆炸，所以d、e儀器及裝入其中的物質(zhì)都不能含有水分。為除去氯氣中的水分，c可以裝入下列物質(zhì)中的________（填字母）。

    A．堿石灰    B．濃硫酸    C．無水氯化鈣

（5）氯氣和白磷反應(yīng)放出大量的熱，為使具支燒瓶d不致因局部過熱而炸裂，實(shí)驗(yàn)開始前應(yīng)在燒瓶的底部放少量________。

（6）實(shí)驗(yàn)室的白磷保存于水中，取出白磷后用濾紙吸干表面水分，浸入無水酒精中片刻，再浸入乙醚中片刻即可完全除去水分。已知水與酒精互溶，酒精與乙醚互溶，用上述方法可除去水的原因是________________________________________________________。

（7）為防止氯氣污染空氣，裝置末端導(dǎo)出的氣體最好用（填字母）________進(jìn)行凈化處理。

    A．NaOH溶液    B．Ca(OH)₂溶液    C．飽和食鹽水

用圖1-3所示裝置（酒精燈、鐵架臺(tái)等未畫出）制取三氯化磷。在具支燒瓶d中放入足量白磷，將氯氣迅速而又不間斷地通入具支燒瓶中，氯氣與白磷就會(huì)發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生火焰。三氯化磷和五氯化磷的物理常數(shù)見下表。

圖1-3

（1）有濃鹽酸、濃硫酸、白磷、二氧化錳、氫氧化鈉等物質(zhì)供選用，a、b中應(yīng)該裝入的試劑分別是：a________，b________。

（2）________（填儀器對(duì)應(yīng)的字母）儀器需要加熱。

（3）生成的三氯化磷在蒸餾燒瓶e中收集。為保證三氯化磷蒸氣冷凝，應(yīng)在水槽g中加入________。

（4）三氯化磷遇到水蒸氣強(qiáng)烈反應(yīng)，甚至發(fā)生爆炸，所以d、e儀器及裝入其中的物質(zhì)都不能含有水分。為除去氯氣中的水分，c可以裝入下列物質(zhì)中的________（填字母）。

    A．堿石灰    B．濃硫酸    C．無水氯化鈣

（5）氯氣和白磷反應(yīng)放出大量的熱，為使具支燒瓶d不致因局部過熱而炸裂，實(shí)驗(yàn)開始前應(yīng)在燒瓶的底部放少量________。

（6）實(shí)驗(yàn)室的白磷保存于水中，取出白磷后用濾紙吸干表面水分，浸入無水酒精中片刻，再浸入乙醚中片刻即可完全除去水分。已知水與酒精互溶，酒精與乙醚互溶，用上述方法可除去水的原因是________________________________________________________。

（7）為防止氯氣污染空氣，裝置末端導(dǎo)出的氣體最好用（填字母）________進(jìn)行凈化處理。

    A．NaOH溶液    B．Ca(OH)₂溶液    C．飽和食鹽水

高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料，是制備半導(dǎo)體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置圖。

相關(guān)信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物；c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請(qǐng)回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為               ，裝置A中f管的作用是                           ，其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為                                              。

（2）裝置B中的試劑是                      。

（3）某學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)了以下兩種實(shí)驗(yàn)方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個(gè)方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請(qǐng)你評(píng)價(jià)后填寫下表。

（4）在上述（3）的評(píng)價(jià)基礎(chǔ)上，請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)合理方案：                                   。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是            （填寫元素符號(hào)）。

高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料，是制備半導(dǎo)體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置圖。

相關(guān)信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物；c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請(qǐng)回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為____________，裝置A中f管的作用是_______________________________________，其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_____        ____________________________________     _______。

（2）裝置B中的試劑是____________。

（3）某學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)了以下兩種實(shí)驗(yàn)方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個(gè)方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請(qǐng)你評(píng)價(jià)后填寫下表。

（4）在上述（3）的評(píng)價(jià)基礎(chǔ)上，請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)合理方案：___________     ________                  。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是    （填寫元素符號(hào)）。