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運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度，實驗步驟如下：

Ⅰ．取適量小晶體，用天平測出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；

Ⅱ．緩慢推動活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V₁，通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P₁；

Ⅲ．重復步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V₂和讀取相應的氣體的壓強P₂；

Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．

（1）為了減小實驗誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標應標明的物理量是_____________，橫坐標則應標明_____________，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫出相應圖線；

（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v₀與容積刻度V、氣體的壓強P 的關(guān)系表達式為：v₀=__________________；

（3）實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10^-3kg，則小晶體的密度大小為________kg/m³．

（8分）運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度，實驗步驟如下：

Ⅰ．取適量小晶體，用天平測出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；

Ⅱ．緩慢推動活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V₁，通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P₁；

Ⅲ．重復步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V₂和讀取相應的氣體的壓強P₂；

Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．

（1）為了減小實驗誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標應標明的物理量是_____________，橫坐標則應標明_____________，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫出相應圖線；

（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v₀與容積刻度V、氣體的壓強P 的關(guān)系表達式為：v₀=__________________；

（3）實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10^-3kg，則小晶體的密度大小為________kg/m³．

（8分）運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度，實驗步驟如下：
Ⅰ．取適量小晶體，用天平測出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；
Ⅱ．緩慢推動活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V₁，通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P₁；
Ⅲ．重復步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V₂和讀取相應的氣體的壓強P₂；
Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．

（1）為了減小實驗誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標應標明的物理量是_____________，橫坐標則應標明_____________，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫出相應圖線；

（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v₀與容積刻度V、氣體的壓強P的關(guān)系表達式為：v₀=__________________；
（3）實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10^-3kg，則小晶體的密度大小為________kg/m³．

（8分）運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度，實驗步驟如下：

Ⅰ．取適量小晶體，用天平測出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；

Ⅱ．緩慢推動活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V₁，通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P₁；

Ⅲ．重復步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V₂和讀取相應的氣體的壓強P₂；

Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．

（1）為了減小實驗誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標應標明的物理量是_____________，橫坐標則應標明_____________，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫出相應圖線；

（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v₀與容積刻度V、氣體的壓強P 的關(guān)系表達式為：v₀=__________________；

（3）實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10^-3kg，則小晶體的密度大小為________kg/m³．