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        1. (2)試證明: .K為與材料有關(guān)的常量.(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法? 鹽城市2008―2009學(xué)年度高三摸底考試 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極E、F、M、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓.

          (1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?

          (2)試證明:,K為與材料有關(guān)的常量.

          (3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?

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          在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極E、FM、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。

          (1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?

          (2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。

          (3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

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          在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極EF、MN,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ,稱為霍爾電壓。

          (1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,MN兩端中哪端電勢較高?

          (2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。

          (3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?

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          (19分)在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極EF、M、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。

          (1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?

          (2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。

          (3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

           

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          (19分)在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極E、F、M、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在MN間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。
          (1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?
          (2)試證明:,K為與材料有關(guān)的常量。
          (3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

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          題號

          1

          2

          3

          4

          5

          6

          7

          8

          9

          答案

          A

          B

          B

          C

          D

          BD

          AD

          AC

          AC

          一.單選題   二.多選題

          三. 簡答題:本題分必做題(第10、11題)和選做題(第12題)兩部分,共計42分。請將解答填寫在答題卡相應(yīng)的位置。

          10.(1) 220Ω    3.9 mA      (2)

          11.(1)   

          。2)如圖所示

          12.A (略)

          B(1)C , A    (2)1s    上      (3)2r

          C(1)BD (2)0.1 不變 (3)4.3(±0.1)×1014Hz(6.2~6.8)×10-34Js

          四.解答題:本題共3小題,共計47分。解答時請寫出必要的文字說明、方程式和重要的演算步驟。只寫出最后答案的不能得分。有數(shù)值計算的題,答案中必須明確寫出數(shù)值和單位。

          13.(1)AB過程:重力做功W1=mgh    ① 2分

               h=               ② 2分

              平均功率P=              ③2分

          由①②③得          ④1分

          (2) 設(shè)BC間的水平位移為s,初速度為

                                  ⑤2分

          由于傾角為450,平拋運動的豎直位移也為s

          S=                   ⑥2分

                                    ⑦1分

          全過程:末速度為              ⑧ 2分

          由以上各式得:                   ⑨1分

          14. (1)    Wa=magd =1.0J                      2分

          Wb=mbgd =0.5J                      2分

          (2)b在磁場中勻速運動時:速度為,總電阻R1=7.5Ω

           b中的電流                ① 2分

           由以上各式得:        ②2分

           同理,a棒:           ③ 1分

           由以上各式得,               ④1分

                                       ⑤1分

                                         ⑥1分

                                  ⑦ 1分

                                        ⑧1分

          由④⑤⑥⑦⑧得 Ha=      ⑨ 1分   

          Hb=m            ⑩  1分

          15.(1)M點電勢高                         ①3分

          (2)設(shè)前后兩個表面相距為L,電子所受的電場力等于洛侖茲力

                                    ②2分

          設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個數(shù)為n,材料截面積為s

                                                 ③2分

                    s=dL                ④ 1分

                   由②③④得:                      ⑤2分

                    令,則               ⑥2分

           (3) 增大電流I、減小厚度d 和減小截流子的密度       4分

           

           

           


          同步練習(xí)冊答案