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        1. 22.如圖在Oxy平面內(nèi).MN與x軸平行.M點(diǎn)坐 標(biāo)為(0.6L).在MN和x軸之間有平行于y軸的勻強(qiáng)電場和垂直于Oxy平面的勻強(qiáng)磁場.y軸上離坐標(biāo)原點(diǎn)4L的A點(diǎn)處有一電子槍.可以沿x軸正方向射出速度為v0的電子.如果電場和磁場同時(shí)存在.電子將做勻速直線運(yùn)動.如果撤去電場.只保留磁場.電子將從x軸上距坐標(biāo)原點(diǎn)3L的C點(diǎn)離開磁場.不計(jì)重力的影響.求: (1)磁感應(yīng)強(qiáng)度B和電場強(qiáng)度E的大小和方向, 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          (20分)如下圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。建立如圖所示的坐標(biāo)系,x軸平行于金屬板,且與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界是y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運(yùn)動,并先后通過區(qū)域I和II。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img width=45 height=41>。不計(jì)電子重力。

          (1)求兩金屬板之間電勢差U;

          (2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y;

          (3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向勻強(qiáng)電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出。求電子兩次經(jīng)過y軸的時(shí)間間隔t。

           

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          (20分)如下圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。建立如圖所示的坐標(biāo)系,x軸平行于金屬板,且與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界是y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運(yùn)動,并先后通過區(qū)域I和II。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic5/tikupic/c7/8/inxmb1.png" style="vertical-align:middle;" />。不計(jì)電子重力。

          (1)求兩金屬板之間電勢差U;
          (2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y;
          (3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向勻強(qiáng)電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出。求電子兩次經(jīng)過y軸的時(shí)間間隔t。

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          (20分)如下圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。建立如圖所示的坐標(biāo)系,x軸平行于金屬板,且與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界是y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運(yùn)動,并先后通過區(qū)域I和II。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic6/res/gzwl/web/STSource/2012062002340879769628/SYS201206200235023289917498_ST.files/image001.png">。不計(jì)電子重力。

          (1)求兩金屬板之間電勢差U;

          (2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y;

          (3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向勻強(qiáng)電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出。求電子兩次經(jīng)過y軸的時(shí)間間隔t。

           

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          精英家教網(wǎng)如圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間的距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.如圖建立坐標(biāo)系,x軸平行于金屬板,與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板.區(qū)域I的左邊界在y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行.在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里.一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運(yùn)動,并先后通過區(qū)域I和II.已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠椋挥?jì)電子重力.
          (1)求兩金屬板之間電勢差U;
          (2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y;
          (3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向的勻強(qiáng)電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出.求電子兩次經(jīng)過y軸的時(shí)間間隔t.

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          (19分)如圖所示,帶電平行金屬板PQ和MN之間的距離為d;兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。如圖建立坐標(biāo)系,x軸平行于金屬板,與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界在y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運(yùn)動,并先后通過區(qū)域I和II。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img width=45 height=41 src="http://thumb.zyjl.cn/pic1/imagenew/gzwl/6/231506.png" >。不計(jì)電子重力。

          (1)求兩金屬板之間電勢差U;

          (2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y;

          (3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向的勻強(qiáng)電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域II的右邊界飛出。求電子兩次經(jīng)過y軸的時(shí)間間隔t。

           

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          一、選擇題:選對的給6分,選錯(cuò)的得0分。

          1.B    2.D    3.B    4.B   5.D

          6.A    7.D    8.A    9.D   10.D    11. C    12.D

          二、選擇題:全部選對的給6分,選對但不全的給3分,有選錯(cuò)的得0分。

          13.BC   14.C   15.A    16.A   17.D   18.AC

          19.(1)(12分)①0.04   左;    ② 1.215     9.375

          (2) (6分)

           

          .  

             

           

           

           

          ③ 單向?qū)щ娦?/p>

          20. (15分)(1)如圖所示:(3分)

          (2)當(dāng)ab桿速度為v時(shí),感應(yīng)電動勢E=BLv,(2分)

          此時(shí)電路電流     (2分)

          ab桿受到安培力(3分)

          根據(jù)牛頓運(yùn)動定律,有

            (3分)

          解得   (2分)

          21.(19分)

            

          22.(20分)

          解:(1)只有磁場時(shí),電子作圓周運(yùn)動,

          軌跡如圖所示,利用幾何作圖,O’是其圓心,

            (2)只有電場時(shí),電子從MN上的D點(diǎn)離開電場,如圖所示,設(shè)D點(diǎn)橫坐標(biāo)為x

            

            (3)從A點(diǎn)到D點(diǎn),電場力做正功,由動能定理得:

          23、(共15分)(1)氧(1分)

          (2)                      (2分);N2 H 4−4e +4OH= N 2 +4H2O(2分)

          (3)2Cl−2e=Cl2↑(2分),升高(2分);

          (4)①NH4Cl(或NH4NO3)(2分),NaOH;(2分)

          ②c(Cl)>c(NH4+)>c(Na+)>c(OH)>c(H+)或c(NO3)>c(NH4+)>c(Na+)>c(OH)>c(H+)

          (2分)

           

           

          24、(14分,每空2分)

          Ⅰ、 ⑴ S2- + H2OHS- +OH- ;HS- + H2OH2S +OH-

          ⑵ 2.7×10-3 ;    ⑶ +172.5 ;

          Ⅱ、(1)K=;   放熱。     (2)1.5×10-3mol/(L?s)。     (3) c。

          25.(16分)(1)KClO3(2分)…     H2O2(2分)

            1. ②MnO2+4H++2Cl     Mn2++Cl2↑+2H2O(2分)… 

              ③S2+Cl2=S↓+2 Cl (2分) 

               ④II 與 III(1分)

              除去氯氣中的水蒸氣(或干燥氯氣)(2分)…

              (3)Cl2+H2O2   2HCl+O2…(2分)

              26.Ⅰ.(每空2分,共16分)

              1.(1)①NaOH溶液   ②遮光

              (2)①NaHCO3溶液,裝置乙作對照 ②光照充足、溫度相同的環(huán)境中

              (3)左、右

              2.4    84

              Ⅱ.(每空2分,共10分)

              (1) B   

              (2)吞噬細(xì)胞、T細(xì)胞、B細(xì)胞、漿細(xì)胞(效應(yīng)B細(xì)胞)(寫全才得分)

              (3)體內(nèi)快速產(chǎn)生大量抗體

              未經(jīng)免疫的大小、體質(zhì)大致一致的小鼠注射等量的毒性極強(qiáng)的霍亂弧菌制劑

              (4)不吃未煮熟的魚類和貝殼類食物(或不生吃),或接種霍亂疫苗(答對1點(diǎn)即給分)

              27.(每空2分,共14分)

              (1)基因突變   不定向的   基因分離

              (2) ①青毛┱白毛大致等于1┱1;   ②b1>b3>b2>b4       ③b3>b1>b2>b4  

              (3)Bb4

              28.(1)D  (2)C   

              29. (1)C  (2)D

               

              30.(共13分)

               (1)   ⑧應(yīng)為黑色。(2分)

              (2)燃燒時(shí),電子獲得能量,從內(nèi)層軌道躍遷到外層軌道。躍遷到新軌道的電子處在一種不穩(wěn)定的狀態(tài),隨即躍遷回原來軌道,并向外界釋放能量(光能)。(3分)

                (3)   NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,所以NaF與MgF2遠(yuǎn)比SiF4要高。又因?yàn)镸g2+的半徑小于Na+的半徑,所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度,故MgF2的熔點(diǎn)大于NaF。(3分)

               (4)  ①σ(2分)

              ②a中X和w微粒間的相互作用力為氫鍵,b中X和 Cu(I)微粒間的相互作用力為配位鍵。 (3分)

              31.(共13分)(1)① 羧基、羥基(酚羥基)(2分)         ② CD(2分)

              (2)4         (2分)

              (3)①                                         (2分)

              ②(2分)酯化(取代)反應(yīng)(1分)  ③                     

              32.(10分)【現(xiàn)代生物科技專題】

              (1)早期胚胎培養(yǎng)(受精卵培養(yǎng))      胚胎移植      囊胚(桑椹胚)

              (2)協(xié)調(diào)與平衡原理   物質(zhì)循環(huán)再生原理

               

               

               

               

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