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				①在答題卡的圖乙中畫(huà)出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線.			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
          題目列表(包括答案和解析)
          

		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          某同學(xué)對(duì)黑箱（見(jiàn)圖甲）中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究.通過(guò)正確測(cè)量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab(Uab=Ua-Ub)與流過(guò)它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律：①當(dāng)-15 V＜Uab＜0 V時(shí)，I近似為零；②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)下表： 
          甲
          編號(hào)
          Uab/V
          I/mA
          1
          0.000
          0.00
          2
          0.245
          0.15
          3
          0.480
          0.25
          4
          0.650
          0.60
          5
          0.705
          1.70
          6
          0.725
          4.25
          7
          0.745
          7.50
          （1）在圖乙中畫(huà)出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線.（可用鉛筆作圖）
          （2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是__________.
          （3）若將此黑箱接入丙電路中，并在該電路的cd兩端輸入如圖丁（1）所示的方波電壓信號(hào)ucd，請(qǐng)?jiān)趫D丁（2）中定性畫(huà)出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形.
          乙
          丙
          丁
          

			
          
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          （2004?江蘇）某同學(xué)對(duì)黑箱（見(jiàn)圖1）中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究．通過(guò)正確測(cè)量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab（Uab=Ua-Ub）與流過(guò)它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律

          ①當(dāng)-15V＜Uab＜0V時(shí)，I近似為零．②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)下表：
          

          


          
編號(hào)
1
2
3
4
5
6
7
          

          
Uab/V
0.000
0.245
0.480
0.650
0.705
0.725
0.745
          

          
I/mA
0.00
0.15
0.25
0.60
1.70
4.25
7.50
          （1）在圖2中畫(huà)出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線．（可用鉛筆作圖）
          （2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是
          單向?qū)щ娦?/div>
          單向?qū)щ娦?/div>．
          （3）若將此黑箱接入圖3電路中，并在該電路的cd兩端輸人如圖4（甲）所示的方波電壓信號(hào)Ucd．請(qǐng)?jiān)趫D4（乙）中定性畫(huà)出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形．
          

			
          
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          某同學(xué)對(duì)黑箱（見(jiàn)圖1）中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究．通過(guò)正確測(cè)量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab（Uab=Ua-Ub）與流過(guò)它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律

          精英家教網(wǎng)

          ①當(dāng)-15V＜Uab＜0V時(shí)，I近似為零．②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)下表：
          

          


          
編號(hào)
1
2
3
4
5
6
7
          

          
Uab/V
0.000
0.245
0.480
0.650
0.705
0.725
0.745
          

          
I/mA
0.00
0.15
0.25
0.60
1.70
4.25
7.50
          （1）在圖2中畫(huà)出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線．（可用鉛筆作圖）
          （2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是______．
          （3）若將此黑箱接入圖3電路中，并在該電路的cd兩端輸人如圖4（甲）所示的方波電壓信號(hào)Ucd．請(qǐng)?jiān)趫D4（乙）中定性畫(huà)出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形．
          

			
          
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          （04年江蘇卷）(12分)某同學(xué)對(duì)黑箱(見(jiàn)圖1)中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究。通過(guò)正確測(cè)量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab(Uab=Ua－Ub)與流過(guò)它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律。
                  ①當(dāng)－15V<Uab<0V時(shí)，I近為零。②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)下表：
           
          編號(hào)
          1
          2
          3
          4
          5
          6
          7
          Uab/V
          0.000
          0.245
          0.480
          0.650
          0.705
          0.725
          0.745
          I/mA
          0.00
          0.15
          0.25
          0.60
          1.70
          4.25
          7.50
                     
           
           
                   
          （1）在圖2中畫(huà)出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線。(可用鉛筆作圖) 
          （2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是______________________
          （3）若將此黑箱接入圖3電路中，并在該電路的cd兩端輸入如圖4(甲)所示的方波電壓信號(hào)ucd，請(qǐng)?jiān)趫D4(乙)中定性畫(huà)出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形。
          

			
          
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          04（江蘇卷）22 . (12分)某同學(xué)對(duì)黑箱(見(jiàn)圖1)中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究．通過(guò)正確測(cè)量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab(Uab=Ua-Ub)與流過(guò)它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律
            
             ①當(dāng)-15V<Uab<0V時(shí)，I近為零．②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)下表：
            
            
            
               
            
                  
           
             
                                                                
            
          （1）在圖2中畫(huà)出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線．(可用鉛筆作圖)
            
          （2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)．該元件具有的特性是______________________
            
          （3）若將此黑箱接入圖3電路中，并在該電路的cd兩端輸入如圖4(甲)所示的方波電壓
            
          信號(hào)ucd,請(qǐng)?jiān)趫D4(乙)中定性畫(huà)出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形．
          

			
          
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          一、選擇題：選對(duì)的給6分，選錯(cuò)的得0分。
          1．B    2．D    3．B    4．B   5．D
          6．A    7．D    8．A    9．D   10．D    11． C    12．D

          二、選擇題：全部選對(duì)的給6分，選對(duì)但不全的給3分，有選錯(cuò)的得0分。
          13．BC   14．C   15．A    16．A   17．D   18．AC 
          19．（1）(12分)①0.04   左；    ②
1.215     9.375
          (2) (6分)
           
          ．   
             

           
           
           
          ③ 單向?qū)щ娦?/p>
          20. (15分)（1）如圖所示：（3分）
          （2）當(dāng)ab桿速度為v時(shí)，感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E=BLv，（2分）
          此時(shí)電路電流     （2分）
          ab桿受到安培力（3分）
          根據(jù)牛頓運(yùn)動(dòng)定律，有
            （3分）
          解得  
（2分）
          21．（19分）
             
          22．（20分）
          解：（1）只有磁場(chǎng)時(shí)，電子作圓周運(yùn)動(dòng)，
          軌跡如圖所示，利用幾何作圖，O’是其圓心，
           
（2）只有電場(chǎng)時(shí)，電子從MN上的D點(diǎn)離開(kāi)電場(chǎng)，如圖所示，設(shè)D點(diǎn)橫坐標(biāo)為x
             
           
（3）從A點(diǎn)到D點(diǎn)，電場(chǎng)力做正功，由動(dòng)能定理得：
          23、（共15分）（1）氧（1分）
          （2）                     
（2分）；N2 H 4−4e− +4OH−= N 2 +4H2O（2分）
          （3）2Cl−−2e−=Cl2↑（2分），升高（2分）；
          （4）①NH4Cl（或NH4NO3）（2分），NaOH；（2分）
          ②c(Cl−)＞c(NH4+)＞c(Na+)＞c(OH−)＞c(H+)或c(NO3−)＞c(NH4+)＞c(Na+)＞c(OH−)＞c(H+)
          （2分）
           
           
          24、（14分，每空2分）
          Ⅰ、 ⑴ S2- + H2OHS- +OH-
；HS- + H2OH2S +OH-；
          ⑵ 2.7×10-3
；    ⑶ +172.5 ； 
          Ⅱ、（1）K＝；   放熱。     (2）1.5×10－3mol/(L?s)。     (3） c。
          25．（16分）（1）KClO3（2分）…     H2O2（2分）
          


            1. 
 
              
  
  
              
   
              
    
    
              
    
              △
              ②MnO2+4H++2Cl－     Mn2++Cl2↑+2H2O（2分）…  
              ③S2－+Cl2=S↓+2
Cl （2分）  
               ④II 與 III（1分）
              除去氯氣中的水蒸氣（或干燥氯氣）（2分）…
              （3）Cl2+H2O2   2HCl+O2…（2分）
              26．Ⅰ．（每空2分，共16分）
              1．（1）①NaOH溶液   ②遮光
              （2）①NaHCO3溶液，裝置乙作對(duì)照�、诠庹粘渥恪囟认嗤沫h(huán)境中
              （3）左、右
              2．4    84
              Ⅱ．（每空2分，共10分）
              （1） B    
              （2）吞噬細(xì)胞、T細(xì)胞、B細(xì)胞、漿細(xì)胞（效應(yīng)B細(xì)胞）（寫(xiě)全才得分）
              （3）體內(nèi)快速產(chǎn)生大量抗體
              將未經(jīng)免疫的大小、體質(zhì)大致一致的小鼠注射等量的毒性極強(qiáng)的霍亂弧菌制劑
              （4）不吃未煮熟的魚(yú)類(lèi)和貝殼類(lèi)食物（或不生吃），或接種霍亂疫苗（答對(duì)1點(diǎn)即給分）
              27．(每空2分，共14分)
              （1）基因突變   不定向的   基因分離
              （2） ①青毛┱白毛大致等于1┱1；   ②b1>b3>b2>b4       ③b3>b1>b2>b4  

              （3）Bb4
              28.（1）D  （2）C    
              29. (1)C  (2)D
               
              30.（共13分）
               (1)   ⑧應(yīng)為黑色。（2分）
              (2)燃燒時(shí)，電子獲得能量，從內(nèi)層軌道躍遷到外層軌道。躍遷到新軌道的電子處在一種不穩(wěn)定的狀態(tài)，隨即躍遷回原來(lái)軌道，并向外界釋放能量（光能）。（3分）
                (3)   NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，所以NaF與MgF2遠(yuǎn)比SiF4要高。又因?yàn)镸g2+的半徑小于Na+的半徑，所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度，故MgF2的熔點(diǎn)大于NaF。（3分）
               (4)  ①σ（2分）
              ②a中X和w微粒間的相互作用力為氫鍵，b中X和 Cu（I）微粒間的相互作用力為配位鍵。 （3分）
              31．（共13分）（1）① 羧基、羥基（酚羥基）（2分）        
② CD（2分）
              （2）4        
（2分）
              （3）①                                        
（2分）
              ②（2分）酯化（取代）反應(yīng)（1分）  ③                     

              32．（10分）【現(xiàn)代生物科技專(zhuān)題】
              （1）早期胚胎培養(yǎng)（受精卵培養(yǎng)）      胚胎移植     
囊胚（桑椹胚）
              （2）協(xié)調(diào)與平衡原理   物質(zhì)循環(huán)再生原理
               
               
               
               
              		
              
	
	

              
	



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