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        1. B.該反應(yīng)是核聚變反應(yīng) 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置).如圖所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi).設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1,外半徑為R2,磁場的磁感強(qiáng)度為B,若被束縛帶電粒子的比荷為q/m,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度.求:
          (1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
          (2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度.

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          核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置).如圖5-6-18所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi).設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強(qiáng)度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度.
          求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
          (2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度.

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          核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置).如圖5-6-18所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi).設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強(qiáng)度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度.
          求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
          (2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度.

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          核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置).如圖所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi).設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1,外半徑為R2,磁場的磁感強(qiáng)度為B,若被束縛帶電粒子的比荷為q/m,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度.求:
          (1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
          (2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度.

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          核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置).如圖所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi).設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R10.5 m,外半徑為R21.0 m,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1.0 T,若被束縛的帶電粒子的荷質(zhì)比為4×107 C/kg,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具備各個方向的速度.試計算粒子沿環(huán)狀半徑的方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.

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