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        1. D.帶電粒子垂直進入磁場時.受到洛倫茲力的作用.其計算公式是F=qvB.和其他力一樣.洛倫茲力對帶電粒子可能做功. 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          如測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設法使某有機化合物的氣態(tài)分子導入圖中所示的容器中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子變成為正一價的分子離子,分子離子從狹縫s1以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計),加速后,再通過狹縫s2、s3射入磁感強度為B的勻強磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ,最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫s3的細線,若測得細線到狹縫s3的距離為d,
          (1)導出分子離子的質(zhì)量m的表達式
          (2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機化合物的結構簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M
          為48,寫出其結構簡式
          (3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個M值,分別為64和66.試說明原因,并寫出它們的結構簡式.
          在推測有機化合物的結構時,可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:
          元 素 H C F Cl Br
          含量較多的同位互的質(zhì)量數(shù) 1 12 19 35,37 79,81

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          如測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設法使某有機化合物的氣態(tài)分子導入圖中所示的容器中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子變成為正一價的分子離子,分子離子從狹縫s1以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計),加速后,再通過狹縫s2、s3射入磁感強度為B的勻強磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ,最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫s3的細線,若測得細線到狹縫s3的距離為d,
          (1)導出分子離子的質(zhì)量m的表達式
          (2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機化合物的結構簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M
          為48,寫出其結構簡式
          (3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個M值,分別為64和66.試說明原因,并寫出它們的結構簡式.
          在推測有機化合物的結構時,可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:
          元 素 H C F Cl Br
          含量較多的同位互的質(zhì)量數(shù) 1 12 19 35,37 79,81
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          如測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設法使某有機化合物的氣態(tài)分子導入圖中所示的容器中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子變成為正一價的分子離子,分子離子從狹縫s1以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計),加速后,再通過狹縫s2、s3射入磁感強度為B的勻強磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ,最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫s3的細線,若測得細線到狹縫s3的距離為d,
          (1)導出分子離子的質(zhì)量m的表達式
          (2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機化合物的結構簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M
          為48,寫出其結構簡式
          (3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個M值,分別為64和66.試說明原因,并寫出它們的結構簡式.
          在推測有機化合物的結構時,可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:
          元 素HCFClBr
          含量較多的同位互的質(zhì)量數(shù)1121935,3779,81


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          圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設法使某有機化合物的氣態(tài)分子導入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子變成為正一價的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計),加速后,再通過狹縫S2、S3射入磁感應強度為B的勻強磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ.最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S2的細線,若測得細線到狹縫S3的距離為d

           

            (1)導出分子、離子的質(zhì)量m的表達式.

           

            (2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機化合物的結構簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M48,寫出其結構簡式.

           

           。3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個M值,分別為6466,試說明原因,并寫出它們的結構簡式.在推測有機化合物的結構時,可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:

          元素

          H

          C

          F

          C1

          Br

          含量較多的同

          位素的質(zhì)量數(shù)

          1

          12

          19

          35,37

          7981

           

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          圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設法使某有機化合物的氣態(tài)分子導入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個電子變成為正一價的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計),加速后,再通過狹縫S2、S3射入磁感應強度為B的勻強磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ.最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S2的細線,若測得細線到狹縫S3的距離為d

           

           。1)導出分子、離子的質(zhì)量m的表達式.

           

           。2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機化合物的結構簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M48,寫出其結構簡式.

           

           。3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個M值,分別為6466,試說明原因,并寫出它們的結構簡式.在推測有機化合物的結構時,可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:

          元素

          H

          C

          F

          C1

          Br

          含量較多的同

          位素的質(zhì)量數(shù)

          1

          12

          19

          3537

          79,81

           

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