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（1）若電子（質(zhì)量為m，電荷量大小為e）以垂直于MN的初速度v₀從小孔O向右射入，求電子在虛線PQ上的射入點(diǎn)和射出點(diǎn)之間的距離d。

（2）若在MN與PQ之間加一個(gè)與PQ方向平行的勻強(qiáng)電場，然后讓電子仍以垂直于MN的初速度v₀從小孔O向右射入，通過該勻強(qiáng)電場后再進(jìn)入勻強(qiáng)磁場，試討論電子在虛線PQ上的射入點(diǎn)和射出點(diǎn)之間的距離d將如何變化。

如圖所示，虛線PQ右側(cè)有垂直于紙面向外的范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，虛線PQ左側(cè)是無場空間。MN是與PQ平行的擋板，其中心有一個(gè)小孔O。若在MN與PQ之間加一個(gè)與PQ方向平行的勻強(qiáng)電場，然后讓電子仍以垂直于PQ的初速度v₀從小孔O向右射入，通過該勻強(qiáng)電場后再進(jìn)入勻強(qiáng)磁場，試討論電子在虛線PQ上的射入點(diǎn)和射出點(diǎn)之間的距離d將如何變化？

如圖所示，虛線PQ右側(cè)有垂直于紙面向外的范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，虛線PQ左側(cè)是無場空間。MN是與PQ平行的擋板，其中心有一個(gè)小孔O。若電子（質(zhì)量為m，電荷量為e）以垂直于PQ的初速度v₀從小孔O向右射入，求電子在虛線PQ上的射入點(diǎn)和射出點(diǎn)之間的距離d。