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        1. 與ab.cd接觸良好.回路的電阻為R.整個裝置放于垂直框架平面的變化的磁場中.磁感應(yīng)強度B的變化情況如圖乙所示.PQ始終靜止.則在內(nèi)(t=0時刻.安培力大于mgsin).對PQ中電流I及受到的摩擦力F的分析正確的是 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          如圖所示.電阻為R,其他電阻均可忽略,ef是一電阻可不計質(zhì)最為m的水平放置的導(dǎo)體棒,棒的兩端分別與豎直放置的ab、cd框保持良好接觸,又能沿框架無摩擦下滑,整個裝置放在與框架垂直的勻強磁場中,當(dāng)導(dǎo)體棒ef從靜止下滑一段時間后閉合開關(guān)S,則S閉合后( 。
          A.導(dǎo)體棒ef的加速度一定大于g
          B.導(dǎo)體棒ef的加速度一定小于g
          C.導(dǎo)體棒ef最終速度跟S閉合的時刻無關(guān)
          D.導(dǎo)體棒ef的機械能與回路內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)能之和一定守恒

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          如圖,導(dǎo)體框平面與水平面成θ角,質(zhì)量為的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的總電阻為R,整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應(yīng)強度的變化如圖(乙),PQ始終靜止,則在0—tos內(nèi),PQ受到的摩擦力的變化情況可能是(  )]

           、一直增大

            ②一直減小

            ③先減小后增大

            ④先增大后減小

          A.①②   B.①④  C.②③  D.③④ 

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          圖甲中bacd為導(dǎo)體作成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應(yīng)強度的變化如圖乙,PQ始終靜止,在0-ts內(nèi),PQ受到的摩擦力的變化情況可能是:

          A.f一直增大

          B.f一直減小

          C.f先減小后增大

          D.f先增大后減小

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          如圖甲中abcd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放于垂直框架平面的變化的磁場中,磁感強度B隨時間變化規(guī)律如圖乙,PQ始終靜止,在時間0~t內(nèi),PQ受到的摩擦力f的大小變化可能是(  )

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          圖甲中bacd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m,的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應(yīng)強度隨時間的變化如圖乙,導(dǎo)體棒PQ始終靜止,在0~t1時間內(nèi)( 。
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