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（2008?東城區(qū)模擬）如圖所示，一束光以入射角i從空氣射入某種介質(zhì)，若折射角為r，則該介質(zhì)的折射率n為（　　）

（2010?東城區(qū)模擬）如圖所示，均勻直導體棒ab質(zhì)量為m，電阻為R，跨接在U型金屬框架上與電阻R組成閉合回路，框架兩豎直平行導軌相距為L，位于磁感應(yīng)強度為B的水平勻強磁場中，框架的電阻忽略不計且足夠長．用豎直向上的恒力F拉ab使之由靜止沿框架豎直向上運動，忽略一切摩擦．則對于從導體棒開始運動到剛好達到最大速度的過程，下列說法中正確的是（　�。�

（2012?東城區(qū)模擬）如圖所示，質(zhì)量為2kg的物體放在水平地板上，在F₁=4N的水平拉力作用下，沿地板恰好能勻速運動．若改用F₂=10N的力沿水平方向拉此物體使它由靜止開始運動，求：
（1）此物體的加速度；
（2）F₂作用4s時物體運動的速度大�。�

（2012?東城區(qū)模擬）如圖所示為某質(zhì)點做直線運動的v-t圖象，關(guān)于這個質(zhì)點在4s內(nèi)的運動情況，下列說法中正確的是（　�。�

（2010?東城區(qū)模擬）如圖所示，在xoy平面內(nèi)，MN和x軸之間有平行于y軸的勻強電場和垂直于xoy平面的勻強磁場，y軸上離坐標原點4L的A點處有一電子槍，可以沿+x方向射出速度為v₀的電子（質(zhì)量為m，電量為e）．如果電場和磁場同時存在，電子將做勻速直線運動．如果撤去電場，只保留磁場，電子將從x軸上距坐標原點3L的C點離開磁場．不計重力的影響，求：
（1）磁感應(yīng)強度B和電場強度E的大小和方向；
（2）如果撤去磁場，只保留電場，電子將從D點（圖中未標出）離開電場，求D點的坐標；
（3）電子通過D點時的動能．