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        1. 4.依據(jù):原子晶體 > 離子晶體 > 分子晶體,同種晶體是鍵能越大熔點(diǎn)越高.根據(jù)常識(shí)歸納. 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          下面的排序不正確的是

          A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4< CCl4< CBr4< CI4

          B.硬度由大到小:金剛石 > 碳化硅 > 晶體硅

          C.熔點(diǎn)由高到低:Na > Mg > Al

          D.晶體的熔點(diǎn)高低規(guī)律一般有:原子晶體 > 離子晶體 > 分子晶體

           

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          下面的排序不正確的是


          1. A.
            晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4< CCl4< CBr4< Cl4
          2. B.
            硬度由大到。航饎偸 > 碳化硅 > 晶體硅
          3. C.
            熔點(diǎn)由高到低:Na > Mg > Al
          4. D.
            晶體的熔點(diǎn)高低規(guī)律一般有:原子晶體 > 離子晶體 > 分子晶體

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          下面的排序不正確的是

          A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4< CCl4< CBr4< CI4
          B.硬度由大到。航饎偸 > 碳化硅 > 晶體硅
          C.熔點(diǎn)由高到低:Na > Mg > Al
          D.晶體的熔點(diǎn)高低規(guī)律一般有:原子晶體 > 離子晶體 > 分子晶體

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              下列結(jié)論和解釋均正確的是

          選項(xiàng)

          結(jié) 論

          解釋

          A

          穩(wěn)定性:H2O>H2S

          因?yàn)樗杏袣滏I

          B

          酸性:鹽酸 > 氫硫酸

          因?yàn)镃l的非金屬性比S強(qiáng)

          C

          原子半徑:B>Be

          因?yàn)锽的核電荷數(shù)比Be大

          D

          熔沸點(diǎn):原子晶體>分子晶體

          因?yàn)楣矁r(jià)鍵比分子間作用力強(qiáng)得多

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          [化學(xué)—物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]

          (1)依據(jù)第2周期元素第一電離能的變化規(guī)律,參照下圖B、F元素的位置,用小黑點(diǎn)標(biāo)出C、N、O三種元素的相對(duì)位置。

          (2)NF3可由NH3和F2在Cu催化劑存在下反應(yīng)直接得到:4NH3+3F2NF3+3NH4F

          ①上述化學(xué)方程式中的5種物質(zhì)所屬的晶體類型有_________(填序號(hào))。

          a.離子晶體 b.分子晶體 c.原子晶體 d.金屬晶體

          ②基態(tài)銅原子的核外電子排布式為________。

          (3)BF3與一定量水形成(H2O)2·BF3晶體Q,Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R:

          ①晶體Q中各種微粒間的作用力不涉及___________(填序號(hào))。

          a.離子鍵  b.共價(jià)鍵  c.配位鍵 d.金屬鍵 e.氫鍵 f.范德華力

          ②R中陽(yáng)離子的空間構(gòu)型為_______,陰離子的中心原子軌道采用_______雜化。

          (4)已知苯酚()具有弱酸性,其Ka=1.1 ×10-10;水楊酸第一級(jí)電離形成的離子能形成分子內(nèi)氫鍵。據(jù)此判斷,相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2(水楊酸)_______Ka(苯酚)(填“>”或“<”),其原因是__________。

           

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          同步練習(xí)冊(cè)答案