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        1. 金屬單質(zhì)的性質(zhì): ⑴金屬晶體:金屬單質(zhì)形成的晶體都屬于金屬晶體.它們由 構(gòu)成,金屬晶體有 通性. ⑵金屬單質(zhì)的化學(xué)性質(zhì): ①金屬在化學(xué)反應(yīng)中都較容易失去電子被氧化:.可以根據(jù) 判斷金屬單質(zhì)還原性的強弱. ②金屬單質(zhì)跟酸反應(yīng)的規(guī)律: 按金屬活動性順序表 A.與非氧化性酸反應(yīng): 能與非氧化性酸發(fā)生置換反應(yīng).實質(zhì)是: 金屬原子失去電子數(shù)與被還原的離子數(shù).生成的的分子數(shù)之間存在什么關(guān)系? = 等物質(zhì)的量的金屬與足量的酸反應(yīng).生成物質(zhì)的量多少決定于什么? 等質(zhì)量的金屬跟足量的酸反應(yīng)生成的多少應(yīng)如何判斷? B.與強氧化性酸的反應(yīng): 和遇冷的濃硫酸.濃硝酸發(fā)生鈍化反應(yīng). 強氧化性酸跟金屬反應(yīng)不能生成.為什么?寫出典型的幾個反應(yīng): 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          晶體硅是一種重要的非金屬材料.制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl
           300℃ 
          .
           
          SiHCl3+H2
          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
          已知SiHCl3能與H2O強烈反應(yīng),在空氣中易自燃.請回答下列問題:
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:
          分餾
          分餾

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
          ①裝置B中的試劑是
          濃硫酸
          濃硫酸
          ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:
          使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
          使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化

          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
          英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
          高溫下,普通玻璃會軟化
          高溫下,普通玻璃會軟化
          ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl

          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
          先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡
          先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是
          bd
          bd

          a.碘水b.氯水c.NaOH溶液d.KSCN溶液e.Na2SO3溶液.

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          晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備高純硅的主要流程如圖所示:

          已知SiHCl3能與H2O強烈反應(yīng),生成一種可燃燒的單質(zhì)氣體和兩種酸.請回答下列問題:
          (1)寫出制備粗硅的化學(xué)方程式
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO

          (2)在生成SiHCl3的反應(yīng)中,還原劑與還原產(chǎn)物的質(zhì)量比為
          14:1
          14:1

          (3)整個制備過程必須控制無水無氧,若有水可能發(fā)生的反應(yīng)是
          3SiHCl3+3H2O=H2SiO3+H2↑+3HCl、C+H2O
           高溫 
          .
           
          CO+H2
          3SiHCl3+3H2O=H2SiO3+H2↑+3HCl、C+H2O
           高溫 
          .
           
          CO+H2

          (4)下列關(guān)于硅及其化合物的敘述錯誤的是
          B C D
          B C D
          (填字母代號)
          A.二氧化硅晶體中硅氧原子間以共價鍵結(jié)合
          B.用于現(xiàn)代通訊的光導(dǎo)纖維的主要成分是高純度的硅
          C.硅與碳位于同一主族,性質(zhì)相似,在自然界中廣泛存在著游離態(tài)的硅
          D.SiO2和CO2都是酸性氧化物,均可與強堿(如NaOH)溶液反應(yīng),而不與任何酸反應(yīng).

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           晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
          ②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2
          ③SiHCl3與過量的H2在1000~1100℃時反應(yīng)制得純硅。
          已知SiHCl3(沸點33.0℃)能與H2O強烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
          請回答下列問題:
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為____________________。
          (2)用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置已略去):

          ①裝置B中的試劑是______________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_______________。
          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。
          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_____________。
          a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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          晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:

          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅?

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClEquation.3SiHCl3+H2?

          ③SiHCl3與過量H2在1 000~1 100 ℃反應(yīng)制得純硅?

          已知SiHCl3能與H2O強烈反應(yīng),在空氣中易自燃。?

          請完成下列問題:?

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為________________。?

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6 ℃)和HCl(沸點-84.7 ℃),提純SiHCl3采用的方法為:________________。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):?

          ①裝置B中的試劑是________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:________________。?

          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是________________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為________________________。?

          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。?

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是________。?

          a.碘水 

          b.氯水 

          c.NaOH溶液 

          d.KSCN溶液 

          e.Na2SO3溶液

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          晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:

          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:

          Si+3HClSiHCl3+H2

          ③SiHCl與過量H2在1 000—1 100℃反應(yīng)制得純硅

          已知SiHCl3能與H2O強烈反應(yīng),在空氣中易自然。

          請回答下列問題:

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為__________________________________________。

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為_______。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如圖1-3-8(熱源及夾持裝置略去):

          圖1-3-8

          ①裝置B中的試劑是_______。

          裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________________。

          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________。

          裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________________________。

          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_______。

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_______。

          a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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