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(5分)通常人們把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H)，化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1) 比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)

SiC         Si； SiCl₄_________SiO₂

(2) 右圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3) 工業(yè)上用高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。�

SiCl₄(g)+2H_­2(g)Si(s)+4HCl(g);  該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=       kJ/mol

（化學(xué)－物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）w.w.w.k.s.5.u.c.o.m

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

（1）寫(xiě)出Si的基態(tài)原子核外電子排布式　　　　。

從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>　　　　。

（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為　　　　，微粒間存在的作用力是　　　　。

（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為　　　　（填元素符號(hào)）。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是　　　　。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO₂中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵　　　　。

碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al₂O₃) 和氮化硅（Si₃N₄）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導(dǎo)彈中，大量用鈦代替鋼鐵。
(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為                  ；
Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為                                         
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，
其反應(yīng)方程式為                                                
（3）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：
3SiCl₄(g) + x N₂(g) + 6 H₂(g)   Si₃N₄(s) + 12 HCl(g)   △H＜0  
在恒溫、恒容時(shí)，分別將0.3mol SiCl₄(g)、0.2mol N₂(g)、0.6mol H₂(g)充入2 L密閉容器內(nèi)，進(jìn)行上述反應(yīng)，5 min達(dá)到平衡狀態(tài)，所得HCl(g)為0.3mol/L、 N₂為0.05 mol/L
① H₂的平均反應(yīng)速率是                       
② 反應(yīng)前與達(dá)到平衡時(shí)容器內(nèi)的壓強(qiáng)之比=           
③ 系數(shù) x =     
(4)已知：TiO₂(s)＋2Cl₂(g)===TiCl₄(l)＋O₂(g)  ΔH₁＝＋140 kJ·mol^－1
C(s)＋O₂(g)=== CO(g)    ΔH₂ ＝－110 kJ·mol^－1
寫(xiě)出TiO₂和焦炭、氯氣反應(yīng)生成TiCl₄和CO氣體的熱化學(xué)方程式：
                                                                              。

碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al₂O₃) 和氮化硅（Si₃N₄）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導(dǎo)彈中，大量用鈦代替鋼鐵。

(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為                  ；

Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為                                         

(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，

其反應(yīng)方程式為                                                

（3）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：

3SiCl₄(g) + x N₂(g) + 6 H₂(g)   Si₃N₄(s) + 12 HCl(g)   △H＜0  

在恒溫、恒容時(shí)，分別將0.3mol SiCl₄(g)、0.2mol N₂(g)、0.6mol H₂(g)充入2 L密閉容器內(nèi)，進(jìn)行上述反應(yīng)，5 min達(dá)到平衡狀態(tài)，所得HCl(g)為0.3mol/L、 N₂為0.05 mol/L

① H₂的平均反應(yīng)速率是                       

② 反應(yīng)前與達(dá)到平衡時(shí)容器內(nèi)的壓強(qiáng)之比=           

③ 系數(shù) x =     

(4)已知：TiO₂(s)＋2Cl₂(g)===TiCl₄(l)＋O₂(g)  ΔH₁＝＋140 kJ·mol^－1

C(s)＋O₂(g)=== CO(g)    ΔH₂ ＝－110 kJ·mol^－1

寫(xiě)出TiO₂和焦炭、氯氣反應(yīng)生成TiCl₄和CO氣體的熱化學(xué)方程式：

                                                                              。