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[化學--物質結構與性質]
（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似．Ga原子的電子排布式為．在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為．在四大晶體類型中，GaN屬于晶體．
（2）NH₃分子的空間構型是：，中心原子N的雜化軌道類型是：．
（3）NH₃與PH₃相比，熱穩(wěn)定性更強的是：，理由是：．
（4）一定壓強，將NH₃和PH₃混合氣體降溫時，首先液化的物質是，理由是：．
（5）銅、鐵元素能形成多種配合物．微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有的原子或離子．

確定物質性質的重要因素是物質結構．請回答下列問題．
（1）已知A和B為第三周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：

電離能/kJ?mol-1	I1	I2	I3	I4
A	578	1817	2745	11578
B	738	1451	7733	10540

A通常顯______價，A的電負性______B的電負性；
A的第一電離能______B的第一電離能（填“＞”、“＜”或“=”）．
（2）實驗證明：KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結構與NaCl晶體結構相似（如圖1所示，其中TiN中N呈-3價），已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：

離子晶體	KCl	MgO	CaO
晶格能/kJ?mol-1	715	3791	3401

則該 4種離子晶體熔點從高到低的順序是：______．其中MgO晶體中一個Mg²⁺周圍和它最鄰近且等距離的Mg²⁺有______個．
（3）金屬陽離子含未成對電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好．離子型氧化物V₂O₅和CrO₂中，適合作錄音帶磁粉原料的是______．
（4）某配合物的分子結構如圖2所示，其分子內不含有______（填序號）．
A．離子鍵         B．極性鍵         C．金屬鍵
D．配位鍵         E．氫  鍵         F．非極性鍵
（5）某離子X⁺中所有電子正好充滿K、L、M三個電子層，它與N^3-形成的晶體結構如右圖所示．X的元素符號是______，與同一個N^3-相連的X⁺有______個．
（6）在硼酸[B（OH）₃]分子中，B原子與3個羥基相連，其晶體具有與石墨相似的層狀結構．則分子中B原子雜化軌道的類型及同層分子間的主要作用力分別是______
A．SP，范德華力  B．sp²，范德華力  C．sp²，氫鍵    D．sp³，氫鍵
（7）CaC₂中

C

2-2

與

O

2+2

互為等電子體，

O

2+2

的電子式可表示為______；1mol 

O

2+2

中含有的π鍵數(shù)目為______．

[化學--選物質結構與性質]




（1）如圖甲，血紅素含有C、H、O、N、Fe五種元素，C、H、N、O四種元素的電負性由小到大的順序是______，根據(jù)以上電負性請判斷H₂N-CHO中C和N的化合價分別為______和______．基態(tài)Fe原子的核外電子排布式為______．血紅素中兩種N原子的雜化方式分別為______、______．
（2）鹵素化學豐富多彩，能形成鹵化物、鹵素互化物、多鹵化物等多種類型的化合物．Cl₂、IBr、ICl沸點由高到低的順序為______．I⁺₃（可看成II⁺₂）屬于多鹵素陽離子，根據(jù)VSEPR模型推測I⁺₃的空間構型為______．多鹵化物RbICl₂加熱時會分解為晶格能相對較大的鹵化物A和鹵素互化物或鹵素單質，則A的化學式為______．
①HClO₄、②HIO₄、③HIO₆[可寫成（HO）₅IO]的酸性由強到弱的順序為______（填序號）．
（3）目前，全世界鎳的消費量僅次于銅、鋁、鉛、鋅，居有色金屬第五位．配合物Ni（CO）₄常溫為流態(tài)，易溶于CCl₄、苯等有機溶劑，固態(tài)Ni（CO）₄屬于______晶體．如圖乙配合物分子內的作用力除共價鍵外，還存在的兩種作用力是______（填字母編號）．
A．氫鍵       B．離子鍵        C．范德華力        D．配位鍵
（4）最近發(fā)現(xiàn)，只含X、Y和Ni三種元素的某種晶體具有超導性．X元素原子的2p能級的電子排布圖為

，Y元素原子的價電子排布式為3s²，該晶體的一個晶胞如圖丙所示，則該晶體的化學式為______．