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已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前20號元素，A與B；C、D與E分別位于同一周期。A原子L層上有2對成對電子， B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C₃DB₆型離子晶體X,，CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體。

（1）寫出A元素的基態(tài)原子價電子排布式            ；F離子電子排布式        。

（2）寫出X的化學(xué)式                     

（3）試解釋工業(yè)冶煉D不以DE₃而是以D₂A₃為原料的原因：                    。

（4）CE、FA的晶格能分別為786 KJ/mol l、3401KJ/mo，試分析導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是：                                                              。

（5）F與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：F與B形成離子化合物的化學(xué)式為________；該離子化合物晶體的密度為a g/cm³，則晶胞的體積是________________(只要求列出算式)。

（15分）已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前20號元素，A與B；C、D與E分別位于同一周期。A原子L層上有2對成對電子， B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C₃DB₆型離子晶體X,，CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體。

（1）寫出A元素的基態(tài)原子價電子排布式            ；F離子電子排布式        。

（2）寫出X的化學(xué)式                     

（3）試解釋工業(yè)冶煉D不以DE₃而是以D₂A₃為原料的原因：                    。

（4）CE、FA的晶格能分別為786 KJ/mol l、3401KJ/mo，試分析導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是：                                                              。

（5）F與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：F與B形成離子化合物的化學(xué)式為________；該離子化合物晶體的密度為a g/cm³，則晶胞的體積是________________(只要求列出算式)。

已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前20號元素。A與B，C、D與E分別位于同一周期。A原子L層上有2對成對電子，B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C₃DB₆型離子晶體X，CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體。
(1)寫出A元素的基態(tài)原子價電子排布式__________；F離子電子排布式為__________。
(2)寫出X的化學(xué)式__________________________，化學(xué)名稱為_________________。
(3)寫出X涉及金屬冶煉中的一個化學(xué)方程式_______________________________。
(4)試解釋工業(yè)冶煉D不以DE₃而是以D₂A₃為原料的原因：
________________________________________________________________________。
(5)CE、FA的晶格能分別為786 kJ·mol^－1、3 401 kJ·mol^－1，試分析導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是_______________________________________
(6)F與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：F與B形成離子化合物的化學(xué)式為________；該離子化合物晶體的密度為a g·cm^－3，則晶胞的體積是________________(只要求列出算式)。

已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前20號元素，A與B；C、D與E分別位于同一周期。A原子L層上有2對成對電子， B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C₃DB₆型離子晶體X,，CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體。

（1）寫出A元素的基態(tài)原子價電子排布式            ；F離子電子排布式       。
（2）寫出X的化學(xué)式                     
（3）試解釋工業(yè)冶煉D不以DE₃而是以D₂A₃為原料的原因：                   。
（4）CE、FA的晶格能分別為786 KJ/mol l、3401KJ/mo，試分析導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是：                                                             。
（5）F與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：F與B形成離子化合物的化學(xué)式為________；該離子化合物晶體的密度為a g/cm³，則晶胞的體積是________________(只要求列出算式)。

已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前20號元素。A與B，C、D與E分別位于同一周期。A原子L層上有2對成對電子，B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C3DB6型離子晶體X，CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體。

(1)寫出A元素的基態(tài)原子價電子排布式__________；F離子電子排布式為__________。

(2)寫出X的化學(xué)式__________________________，化學(xué)名稱為_________________。

(3)寫出X涉及金屬冶煉中的一個化學(xué)方程式_______________________________。

(4)試解釋工業(yè)冶煉D不以DE3而是以D2A3為原料的原因：

________________________________________________________________________。

(5)CE、FA的晶格能分別為786 kJ·mol－1、3 401 kJ·mol－1，試分析導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是_______________________________________

(6)F與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：F與B形成離子化合物的化學(xué)式為________；該離子化合物晶體的密度為a g·cm－3，則晶胞的體積是________________(只要求列出算式)。