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        1. 已知高溫下能發(fā)生如下反應(yīng):Si+C===SiC.現(xiàn)有石英砂和碳粉的混合物a mol,在高溫電爐中隔絕空氣充分反應(yīng).反應(yīng)完全后.冷卻得到殘留固體. (1)寫出可能發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式. (2)若石英砂與混合物的物質(zhì)的量之比為x(0<x<1).試討論x的取值范圍.殘留固體的成分和物質(zhì)的量.并將結(jié)果填入下表中: x值 殘留固體分子式 物質(zhì)的量/mol 說明:①殘留固體物質(zhì)的量用a,x等表示.不必列出具體的計(jì)算式. ②每組空格填一種情況.有幾種填幾種.不必填滿. 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          根據(jù)表中信息回答下列問題。
          元素
          Si
          P
          S
          Cl
          單質(zhì)與氫氣
          反應(yīng)的條件
          高溫
          磷蒸氣與氫氣能反應(yīng)
          加熱
          光照或點(diǎn)燃時(shí)發(fā)生爆炸而化合
           
          (1)S在元素周期表中的位置是       。
          (2)根據(jù)表中信息可知,Si、P、S、Cl 四種元素的的非金屬性依次增強(qiáng)。用原子結(jié)構(gòu)解釋原因:同周期元素電子層數(shù)相同,從左至右,       ,原子半徑逐漸減小,得電子能力逐漸增強(qiáng)。
          (3)25℃時(shí),以上四種元素的單質(zhì)與氫氣反應(yīng)生成l mol氣態(tài)氫化物的反應(yīng)熱如下:
          a.+34.3 kJ·mol-1    b.+9.3 kJ·mol-1   c.?20.6 kJ·mol-1    d.?92.3 kJ·mol-1
          請寫出固態(tài)白磷(P4)與H2反應(yīng)生成氣態(tài)氫化物的熱化學(xué)方程式      
          (4)探究同主族元素性質(zhì)的一些共同規(guī)律,是學(xué)習(xí)化學(xué)的重要方法之一。已知硒(Se)是人體必需的微量元素,其部分信息如圖。

          ①下列有關(guān)說法正確的是       (填字母)。
          a. 原子半徑:Se>S>P             b. 穩(wěn)定性:H2Se>H2S
          c. 因?yàn)樗嵝訦2Se<HCl,所以非金屬性Se<Cl
          d. SeO2是酸性氧化物,能與燒堿溶液反應(yīng)
          ②在下表中列出對H2SeO3各種不同化學(xué)性質(zhì)的推測,舉例并寫出相應(yīng)的化學(xué)方程式。
          編號
          性質(zhì)推測
          化學(xué)方程式
          1
          氧化性
          H2SeO3+4HI=Se↓+2I2+3H2O
          2
           
           
          3
           
           
           

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          晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅:SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑.
          ②粗硅與干燥的Cl2反應(yīng)制得SiCl4:Si+2C12
            △  
          .
           
          SiCl4
          ③SiCl4被過量的H2在1 000~1 100℃時(shí)還原制得純硅:SiCl4+2H2
            △  
          .
           
          Si+4HCl.
          某同學(xué)從資料中查知:SiCl4的熔點(diǎn)為-7O℃,沸點(diǎn)為57.6℃,且在潮濕的空氣中能發(fā)生水解反應(yīng).該同學(xué)設(shè)計(jì)了如下制取純硅的實(shí)驗(yàn)裝置(熱源及夾持裝置已略去).請回答下列問題:
          (1)使SiCl4從裝置B中逸出與H2充分混合,應(yīng)采取的措施是
          對裝置B水浴加熱
          對裝置B水浴加熱

          (2)裝置C不能采用普通玻璃管的原因是
          在1000-1100℃時(shí)普通玻璃管會(huì)軟化
          在1000-1100℃時(shí)普通玻璃管會(huì)軟化
          ,石英的化學(xué)式是
          SiO2
          SiO2

          (3)如果從裝置A中快速向裝置B中通入氣體,可能觀察到的現(xiàn)象是
          B中液面上方產(chǎn)生少量白霧,液體中有少量白色膠狀物生成
          B中液面上方產(chǎn)生少量白霧,液體中有少量白色膠狀物生成

          (4)為防止空氣污染,含有SiCl4的尾氣要通入盛有
          NaOH
          NaOH
          溶液的燒杯中,反應(yīng)的化學(xué)方程式為
          SiCl4+6NaOH=Na2SiO3+4NaCl+3H2O
          SiCl4+6NaOH=Na2SiO3+4NaCl+3H2O

          (5)為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度,還應(yīng)對該裝置進(jìn)行的改進(jìn)是
          在裝置A與B之間連接一盛有濃硫酸的洗氣瓶(或盛有堿石灰的干燥管).
          在裝置A與B之間連接一盛有濃硫酸的洗氣瓶(或盛有堿石灰的干燥管).

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           晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
          ②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2。
          ③SiHCl3與過量的H2在1000~1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
          已知SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
          請回答下列問題:
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為____________________。
          (2)用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置已略去):

          ①裝置B中的試劑是______________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_______________。
          ②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。
          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_____________。
          a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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          晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:

          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅?

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClEquation.3SiHCl3+H2?

          ③SiHCl3與過量H2在1 000~1 100 ℃反應(yīng)制得純硅?

          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。?

          請完成下列問題:?

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為________________。?

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7 ℃),提純SiHCl3采用的方法為:________________。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):?

          ①裝置B中的試劑是________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:________________。?

          ②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是________________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為________________________。?

          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。?

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是________。?

          a.碘水 

          b.氯水 

          c.NaOH溶液 

          d.KSCN溶液 

          e.Na2SO3溶液

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          28.晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:

          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2

          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅

          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。

          請回答下列問題:

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_______________________________。

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為____________________。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

          ①裝置B中的試劑是_________________________。

            裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________。

          ②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________________________________________。

          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及______________________________________。

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_________________。

          a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液    d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

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